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          VB60100C-E3/8W

          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

          文件:149.29 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          VISHAYVishay Siliconix

          威世威世科技公司

          VB60100C-E3/8W

          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

          文件:150.74 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          VISHAYVishay Siliconix

          威世威世科技公司

          VB60100C-E3/8W

          Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

          文件:146.76 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          VISHAYVishay Siliconix

          威世威世科技公司

          VB60100C-E3/8W

          Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號(hào):

            VB60100C-E3/8W

          • 制造商:

            Vishay General Semiconductor - Diodes Division

          • 類別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

          • 系列:

            TMBS?

          • 包裝:

            卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

          • 二極管配置:

            1 對(duì)共陰極

          • 二極管類型:

            肖特基

          • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

            30A

          • 速度:

            快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

          • 工作溫度 - 結(jié):

            -40°C ~ 150°C

          • 安裝類型:

            表面貼裝型

          • 封裝/外殼:

            TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            TO-263AB(D2PAK)

          • 描述:

            DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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          更多VB60100C-E3/8W供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-18 13:00:00
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