| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STD8N06 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.21 ? ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ TH 文件：171.58 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導體 | STMICROELECTRONICS | |
STD8N06 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | ST 意法半導體 | ST | |
TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery t 文件：185.62 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | MOTOROLA 摩托羅拉 | MOTOROLA | ||
TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM 文件：212.82 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | MOTOROLA 摩托羅拉 | MOTOROLA | ||
N-Channel 60 V(D-S) MOSFET 文件：1.08726 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages | VBSEMI 微碧半導體 | VBSEMI |
詳細參數(shù)
- 型號：
STD8N06
- 制造商：
STMicroelectronics
- 功能描述：
MOSFET N D-PAK
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
1100 |
詢價 | ||||
拓鋒 |
23+ |
SOT-23 |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-251/252 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-252/D-PAK |
32500 |
普通 |
詢價 | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-252 |
20000 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售! |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
11200 |
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
ST/意法 |
20+ |
TO-252 |
32500 |
現(xiàn)貨很近!原廠很遠!只做原裝 |
詢價 | ||
ST |
TO-252 |
22+ |
10000 |
終端免費提供樣品 可開13%增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
16900 |
原裝，請咨詢 |
詢價 |
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