絲印：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

N-channel 40 V, 5.5 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in DPAK

文件：1.43706 Mbytes 頁數(shù)：18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.25587 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件：1.08523 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages

DOINGTER

杜因特

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/80n6f6/marking.html">80N6F6；Package：DPAK；Automotive-grade N-channel 60 V, 4.4 m??typ., 80 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in a DPAK package

文件：676.88 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N溝道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封裝

該器件使用ST專有的STripFET?技術(shù)的第七代設(shè)計(jì)規(guī)則，具有新的柵極結(jié)構(gòu)。因而，功率MOSFET在不同封裝中都能呈現(xiàn)最低的RDS(on)。 ? 極低的柵極電荷 \n? 超低導(dǎo)通電阻 \n? 低柵極輸入電阻;

ST

意法半導(dǎo)體

N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

這種超高電壓N溝道功率MOSFET基于意法半導(dǎo)體20年的超結(jié)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，采用終極MDmesh K6技術(shù)設(shè)計(jì)而成。其結(jié)果為最佳單位面積導(dǎo)通電阻和柵極電荷，適用于需要出色的功率密度和高效率的應(yīng)用。\n\n ? 全球最佳RDS(on) x 面積 \n? 極低的柵極電荷 \n? 穩(wěn)壓保護(hù);

ST

意法半導(dǎo)體

N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and ? Worldwide best RDS(on) x area \n? Worldwide best FOM (figure of merit) \n? Ultra low gate charge \n? 100% avalanche tested \n? Zener-protected;

ST

意法半導(dǎo)體