N溝道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封裝

該器件使用ST專有的STripFET?技術(shù)的第七代設(shè)計(jì)規(guī)則，具有新的柵極結(jié)構(gòu)。因而，功率MOSFET在不同封裝中都能呈現(xiàn)最低的RDS(on)。 ? 極低的柵極電荷 \n? 超低導(dǎo)通電阻 \n? 低柵極輸入電阻;

ST

意法半導(dǎo)體

N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

這種超高電壓N溝道功率MOSFET基于意法半導(dǎo)體20年的超結(jié)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，采用終極MDmesh K6技術(shù)設(shè)計(jì)而成。其結(jié)果為最佳單位面積導(dǎo)通電阻和柵極電荷，適用于需要出色的功率密度和高效率的應(yīng)用。\n\n ? 全球最佳RDS(on) x 面積 \n? 極低的柵極電荷 \n? 穩(wěn)壓保護(hù);

ST

意法半導(dǎo)體

N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and ? Worldwide best RDS(on) x area \n? Worldwide best FOM (figure of merit) \n? Ultra low gate charge \n? 100% avalanche tested \n? Zener-protected;

ST

意法半導(dǎo)體

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 30V 3A DPAK

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列 描述：TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列 描述：TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體