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RFP30P05	文件：70.89 Kbytes Page：8 Pages	30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs These are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, s 文件：70.89 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INTERSIL	INTERSIL
RFP30P05	文件：370.75 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：370.75 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
RFP30P05	文件：940.89 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：940.89 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
RFP30P05	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset
RFP30P05	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-CH 50V 30A TO-220AB	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多RFP30P05供應(yīng)商更新時間2026-1-22 10:31:00