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RFP4N35	文件：38.53 Kbytes Page：4 Pages	4A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-channel enhancement-mode silicon-gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate-drive power. These 文件：38.53 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	INTERSIL	INTERSIL
RFP4N35	文件：349.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 350V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.45 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
RFP4N35	文件：1.08668 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08668 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
RFP4N35	文件：300 bytes Page：1 Pages	4A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs	Renesas 瑞薩	Renesas

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	RFP4N35	HAR	24+	N/A	2870		詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	RFP4N35	INTERSIL	23+	TO-252(D	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	RFP4N35		24+	N/A	78000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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更多RFP4N35供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 16:01:00