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首頁 >PHD>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PHD2N50E	文件：298.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：298.2 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHD2N60E	文件：298.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：298.83 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHD2N60E	文件：94.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications. The PHP2N60E is supplied 文件：94.74 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI
PHD3055E	文件：72.46 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’technology ? Low on-state resistance ? Fast switching 文件：72.46 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	PHI PHI	PHI
PHD3055E	文件：220.35 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. Features and benefits ■ Low conduc 文件：220.35 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	恩XP	恩XP
PHD3055E	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’technology ? Low on-state resistance ? Fast switching 文件：103.08 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI
PHD3055E	文件：298.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：298.12 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHD3055E	文件：1.00397 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Material categorization: For definitions of compliance please see APPLICATIONS ? DC/DC Converters ? DC/AC Inverters ? Motor Drives 文件：1.00397 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PHD3055L	文件：298.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：298.99 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHD3055L	文件：55.33 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intend 文件：55.33 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	PHI PHI	PHI

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技術(shù)參數(shù)

Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
5.5
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
7.5
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
75
Q_GD [typ] (nC)：
8
P_tot [max] (W)：
166
Q_r [typ] (nC)：
33
V_GSth [typ] (V)：
1.9
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
2180
C_oss [typ] (pF)：
600
Date：
2011-01-05

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	PHD3055E	PHI	05+	原廠原裝	5051	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	PHD108NQ03LT	恩XP	1415+	TO-252	28500	全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣	詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	PHD78NQ03LT	PHI	11+	SOT252	5000	原裝現(xiàn)貨價(jià)格有優(yōu)勢(shì)量多可發(fā)貨	詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	PHD77NQ03T	恩XP	13+		15039	原裝分銷	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	PHD77NQ03T	恩XP		TO252	5000	正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	PHD0551E3DS-F-0		24+	QFP	68	真實(shí)現(xiàn)貨庫存	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	PHD98N03LT	恩XP	23+	SOT428	48100	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	PHD45N03LTA	PHI	25+	SOT428	64	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	PHD108NQ03LT	恩XP	16+	NA	8800	誠信經(jīng)營	詢價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	PHD101NQ03LT	PHILPS	25+	TO263-2.5	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢價(jià)

更多PHD供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:28:00

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