首頁>PD57018STR-E>規(guī)格書詳情
PD57018STR-E分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PD57018STR-E |
| 參數屬性 | PD57018STR-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：TRANSISTOR RF POWERSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
944.64 Kbytes |
| 頁面數量 |
25 頁 |
| 生產廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導體 |
| 網址 | |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2026-1-19 22:59:00 |
| 人工找貨 | PD57018STR-E價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨 |
PD57018STR-E規(guī)格書詳情
PD57018STR-E屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產的PD57018STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號：
PD57018STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
16.5dB
- 額定電流（安培）：
2.5A
- 功率 - 輸出：
18W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
TRANSISTOR RF POWERSO-10
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
8860 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
24+ |
10RF-Formed-4 |
16900 |
原廠原裝，價格優(yōu)勢，歡迎洽談！ |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
10RF-Formed-4 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
8860 |
原裝現貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
25+ |
原廠封裝 |
9999 |
詢價 | |||
ST |
23+ |
TO-59 |
3496 |
原廠原裝正品 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-59 |
11000 |
原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 |
