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    PD57002S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

    PDF無圖
    廠商型號

    PD57002S-E

    參數(shù)屬性

    PD57002S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10

    功能描述

    RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
    FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10

    封裝外殼

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

    文件大小

    374.07 Kbytes

    頁面數(shù)量

    23

    生產(chǎn)廠商

    STMICROELECTRONICS

    中文名稱

    意法半導(dǎo)體

    網(wǎng)址

    網(wǎng)址

    數(shù)據(jù)手冊

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    更新時間

    2026-1-22 8:31:00

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    PD57002S-E規(guī)格書詳情

    PD57002S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD57002S-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

    產(chǎn)品屬性

    更多
    • 產(chǎn)品編號:

      PD57002S-E

    • 制造商:

      STMicroelectronics

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

    • 包裝:

    • 晶體管類型:

      LDMOS

    • 頻率:

      960MHz

    • 增益:

      15dB

    • 額定電流(安培):

      250mA

    • 功率 - 輸出:

      2W

    • 封裝/外殼:

      PowerSO-10 裸露底部焊盤

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      PowerSO-10RF(直引線)

    • 描述:

      FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10

    供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
    MOTOROLA/摩托羅拉
    24+
    TO-59
    255
    價格優(yōu)勢
    詢價
    ST
    24+
    原廠原封
    16900
    支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術(shù)支持!
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    ST
    18+
    TO-270
    85600
    保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
    詢價
    STMicroelectronics
    2022+
    PowerSO-10RF(直引線)
    38550
    全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
    詢價
    ST/意法
    24+
    T0-
    39000
    只做原裝進口現(xiàn)貨
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    STMicroelectronics
    25+
    N/A
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