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PD57006S-E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PD57006S-E |
| 參數(shù)屬性 | PD57006S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
512.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2026-1-20 23:00:00 |
| 人工找貨 | PD57006S-E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PD57006S-E規(guī)格書詳情
PD57006S-E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的PD57006S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD57006S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
15dB
- 額定電流（安培）：
1A
- 功率 - 輸出：
6W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
11543 |
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詢價 | ||
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ST |
23+ |
原廠原封 |
16900 |
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ST |
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STMicroelectronics |
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PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
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ST |
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ST |
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STMicroelectronics |
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PowerSO-10RF(直引線) |
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詢價 |
