PD57018-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PD57018-E |
| 參數(shù)屬性 | PD57018-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 |
| 功能描述 | RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán) |
| 文件大小 |
560.6 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
28 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱(chēng) | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2026-1-21 23:00:00 |
| 人工找貨 | PD57018-E價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多PD57018-E規(guī)格書(shū)詳情
PD57018-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD57018-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Device’s superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performance and ease of assembly. Mounting recommendations are available in www.st.com/rf/(look for application note AN1294).
特性 Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 18 W with 16.5dB gain@945 MHz/28 V
■ New RF plastic package
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PD57018-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類(lèi)型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
16.5dB
- 額定電流（安培）：
2.5A
- 功率 - 輸出：
18W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝：
10-PowerSO
- 描述：
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
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QFN |
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原廠原裝 |
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ST/意法 |
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詢價(jià) |
