PD57018STR-E_分立半導體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻-意法半導體

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600+	￥224.06017

廠家型號：
PD57018STR-E
制造商：
STMICROELECTRONICS/意法半導體
庫存數(shù)量：
0
類別：
分立半導體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻
封裝外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
包裝：
托盤
更新時間：
2026-1-22 10:22:00

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原廠料號：PD57018STR-E品牌：STMicroelectronics

資料說明：TRANSISTOR RF POWERSO-10

PD57018STR-E是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導體生產(chǎn)封裝PowerSO-10 裸露底部焊盤的PD57018STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

芯片型號：
PD57018STR-E
規(guī)格書：
原廠下載下載
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
資料說明：
TRANSISTOR RF POWERSO-10

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
PD57018STR-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
包裝：
托盤
晶體管類型：
LDMOS
頻率：
945MHz
增益：
16.5dB
額定電流（安培）：
2.5A
功率 - 輸出：
18W
封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
描述：
TRANSISTOR RF POWERSO-10

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PD57018STR-E_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-意法半導體

PD57018STR-E

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