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|---|---|---|---|---|
IRFC250 | High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series FEATURES: ? Fast switching times ? Low RDS(on) HDMOS? process ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Excellent high voltage stability ? Low input capacitance ? Improved high temperature reliability APPLICATIONS: ? Switching power supplies ? Motor controls ? Audio Amplifiers ? Invert 文件：49.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | IXYS 艾賽斯 | IXYS | |
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：15.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) Part Number RDS(on) ID IRFM250 0.100 ? 27.4A HEXFET? MOSFET technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state resistance combined with high transconductan 文件：163.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages | IRF | IRF | ||
N??HANNEL POWER MOSFET 文件：54.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
IRFC250
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 200V - Bulk
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1923+ |
裸片 |
2000 |
公司原裝現(xiàn)貨特價(jià)處理 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
6000 |
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
7000 |
詢價(jià) | ||||
INFINEON |
25+ |
SMD |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件! |
詢價(jià) | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
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