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首頁 >IRFBC40>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFBC40	文件：55.08 Kbytes Page：7 Pages	6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching 文件：55.08 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
IRFBC40	文件：66.91 Kbytes Page：7 Pages	6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. Features ? 6.2A and 5.4A, 600V ? rDS(ON) = 1.2? and 1.6? ? Repetitive Avalanche Energy Rated ? Simple Drive Requirements ? Ease of Paralleling ? Related Literature - TB334, “Guidelines f 文件：66.91 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	HARRIS	HARRIS
IRFBC40	文件：97.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified ( See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Su 文件：97.71 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFBC40	文件：92.75 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET DESCRIPTION This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY? process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources. ■ TYPICAL RDS(on) = 1.0 ? ■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ■ 100 A 文件：92.75 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
IRFBC40	文件：2.98806 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation 文件：2.98806 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFBC40	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 頁數(shù)：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
IRFBC40	文件：328.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：328.21 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRFBC40	文件：301.07 Kbytes Page：20 Pages	CURRENT-MODE-PWM CONTROLLER 文件：301.07 Kbytes 頁數(shù)：20 Pages	TI 德州儀器	TI
IRFBC40	文件：590.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：590.8 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40	文件：641.86 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：641.86 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFBC40
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFBC40	IR	25+	TO-220	20300	IR原裝特價(jià)IRFBC40即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
深圳市天地昆電子有限公司	IRFBC40	VISHAY	1515+	TO-220	100	上傳都是百分之百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科翼源電子有限公司	IRFBC40	IR	23+	TO-220	2840	原廠原裝正品	詢價(jià)
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深圳市明嘉萊科技有限公司	IRFBC40	IR	24+	TO 220	161082	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRFBC40	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
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更多IRFBC40供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:14:00

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