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    IRF3808STRLPBF

    MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC

    Infineon

    英飛凌

    IRF3808STRRPBF

    High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

    Description This Advanced Planar Stripe HEXFET ? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved

    文件:347.21 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages

    IRF

    LP3808

    High-precision Low Voltage Detector

    文件:266.24 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    POWER

    微源半導(dǎo)體

    LT3808

    Low Input Voltage, Synchronous Step-Down DC/DC Controller

    文件:424.91 Kbytes 頁(yè)數(shù):32 Pages

    LINER

    凌力爾特

    詳細(xì)參數(shù)

    • 型號(hào):

      IRF3808STRLPBF

    • 功能描述:

      MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC

    • RoHS:

    • 制造商:

      STMicroelectronics

    • 晶體管極性:

      N-Channel

    • 汲極/源極擊穿電壓:

      650 V

    • 閘/源擊穿電壓:

      25 V

    • 漏極連續(xù)電流:

      130 A 電阻汲極/源極

    • RDS(導(dǎo)通):

      0.014 Ohms

    • 配置:

      Single

    • 安裝風(fēng)格:

      Through Hole

    • 封裝/箱體:

      Max247

    • 封裝:

      Tube

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
    INFINEON/英飛凌
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    更多IRF3808STRLPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 10:10:00

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