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IRF241	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V 文件：140.72 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
IRF241	文件：211.06 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES ? Low RDs 文件：211.06 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF241	文件：48.31 Kbytes Page：2 Pages	Static Drain-Source On-Resistance DESCRIPTION ? Drain Current ID=18A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.18Ω(Max) APPLICATIONS ? Switching power supplies ? Switching converters,motor driver,relay driver ? Audio amplifier and servo motors 文件：48.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRF241R	文件：168.9 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche Energy Rated N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated N-Channel Power MOSFETs The IRF240R, IRF241R, IRF242R and IRF243R are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. These are n-channel enhancement-mode silicon-gate power field 文件：168.9 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI

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更多IRF241供應(yīng)商更新時間2026-1-20 9:10:00