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首頁(yè) >IRF1104PBF>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF1104PBF	文件：190.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009廓 , ID = 100A ) VDSS = 40V RDS(on) = 0.009? ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：190.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：191.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF_15	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：191.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009? ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104SPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009? ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：263.14 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRL1104	文件：90.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.008? ID = 104A? Description Fifth Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged 文件：90.45 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF1104PBF
功能描述：
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市品優(yōu)時(shí)代科技有限公司	IRF1104PBF	INFINEON/IR	1907+	NA	4800	20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢價(jià)
深圳市金芯陽(yáng)科技有限公司	IRF1104PBF	IR	15+	原廠原裝	3000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市訊順達(dá)科技有限公司	IRF1104PBF	INFINEON	08+	TO-220	22950	全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF1104PBF	IR	2021+	TO-220	6000	全新原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRF1104PBF	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳瞄鈞科技有限公司	IRF1104PBF	IR	24+	TO-220	45000	原裝正品特價(jià)現(xiàn)貨(香港新加坡日本)	詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	IRF1104PBF	DISCRETE	50	IR	3000		詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRF1104PBF	Infineon	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRF1104PBF	IR	23+	TO-220-3	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	IRF1104PBF	IR	25+23+	TO-220	23935	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IRF1104PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 19:20:00

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