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IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009? ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104SPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009? ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：263.14 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104SPBF_15	文件：272.44 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：272.44 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRF1104SPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飛凌	Infineon

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更多IRF1104S供應(yīng)商更新時間2026-1-22 16:20:00