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IRF1404SPBF | HEXFET? Power MOSFET Description Seventh Generation HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperat 文件：279.7 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages | IRF | IRF | |
IRF1404SPBF | HEXFET? Power MOSFET Description Seventh Generation HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature 文件：3.89112 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages | KERSEMI | KERSEMI | |
IRF1404SPBF | Advanced Process Technology 文件：279.7 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages | IRF | IRF | |
Advanced Process Technology 文件：279.7 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages | IRF | IRF |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
IRF1404SPBF
- 功能描述：
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-263 |
20000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO263 |
7530 |
絕對(duì)原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢購! |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+23+ |
TO263 |
73049 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
18+ |
TO-263 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
65230 |
詢價(jià) | ||||
INFINEON |
25+ |
TO-263 |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件! |
詢價(jià) |
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