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IRF1104LPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009? ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：263.14 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF	文件：190.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009廓 , ID = 100A ) VDSS = 40V RDS(on) = 0.009? ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：190.33 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：191.29 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009? ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF

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上海市鑫鴻達(dá)電子	IRF1104LPBF	International Rectifier	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	IRF1104LPBF	IR	25+	TO-262	30000	代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	IRF1104LPBF	IR	25+	TO-262	231	普通	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRF1104LPBF	IR	25+	TO-262	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF1104LPBF	IR	2022+	TO-262	1800	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
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更多IRF1104LPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:30:00