54億美元半導體收購案告吹!晶圓代工廠商未來策略值得關(guān)注
8月16日,英特爾表示,由于未能及時獲得監(jiān)管部門的批準,英特爾公司已與高塔半導體(Tower)共同同意終止先前披露的收購協(xié)議。為此,英特爾將向高塔支付3.53億美元的終止費。, 8月16日,英特爾表示,由于未能及時獲得監(jiān)管部門的批準,英特爾公司已與高塔半導體(Tower)共同同意終止先前披露的收購協(xié)議。為此,英特爾將向高塔支付3.53億美元的終止費。

8月16日,英特爾表示,由于未能及時獲得監(jiān)管部門的批準,英特爾公司已與高塔半導體(Tower)共同同意終止先前披露的收購協(xié)議。為此,英特爾將向高塔支付3.53億美元的終止費。, 8月16日,英特爾表示,由于未能及時獲得監(jiān)管部門的批準,英特爾公司已與高塔半導體(Tower)共同同意終止先前披露的收購協(xié)議。為此,英特爾將向高塔支付3.53億美元的終止費。

據(jù)外媒《BusinessKorea》引述行業(yè)消息人士8月16日透露,三星電子在美國硅谷設(shè)立了研發(fā)(R&D)機構(gòu),旨在增強其在下一代半導體領(lǐng)域的競爭力。, 據(jù)外媒《BusinessKorea》引述行業(yè)消息人士8月16日透露,三星電子在美國硅谷設(shè)立了研發(fā)(R&D)機構(gòu),旨在增強其在下一代半導體領(lǐng)域的競爭力。 該組織設(shè)于美洲設(shè)備解決方案(DSA)總部之下,負責三星電子的半導體業(yè)務(wù)。市場預期,三星電

全球半導體觀察從國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)獲悉,2023年8月15日,華為技術(shù)有限公司公開了一項名為“具有改進的熱性能的倒裝芯片封裝”專利,申請公布號為CN116601748A。, 全球半導體觀察從國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)獲悉,2023年8月15日,華為技術(shù)有限公司公開了一項名為“具有改進的熱性能的倒裝芯片封裝”專利,申請公布號為CN116601748A。

8月14日,納微半導體宣布了截至2023年6月30日的第二季度未經(jīng)審計財務(wù)業(yè)績。根據(jù)數(shù)據(jù),2023年第二季度總收入增至1810萬美元,比2022年第二季度的860萬美元增長110%,比2023年第一季度的1340萬美元增長35%。此外,納微半導體累計已發(fā)貨超過1億顆氮化鎵(GaN)和1200萬顆碳化硅(, 8月14日,納微半導體宣布了截至2023年6月30日的第二季度未經(jīng)審計財務(wù)業(yè)績。根據(jù)數(shù)據(jù),20

8月16日下午,寧德時代舉辦新品發(fā)布會,正式發(fā)布全球首款磷酸鐵鋰4C超充電池——神行超充電池。據(jù)介紹,神行超充電池可實現(xiàn)“充電10分鐘續(xù)航400公里”,補能效率媲美燃油車,并達到700公里以上的續(xù)航里程。該電池將于2023年底量產(chǎn),2024年第一季度上市。,

8月16日,英特爾官網(wǎng)披露,英特爾與高塔半導體雙方同意終止此前披露的對高塔半導體的合并協(xié)議。根據(jù)合并協(xié)議條款,英特爾將向高塔半導體支付3.53億元美金的反向終止費。,

據(jù)《自然》雜志16日報道,英國劍橋大學領(lǐng)導的一個國際研究團隊找到了一種控制有機半導體中光和量子“自旋”相互作用的方法,即使在室溫下也能發(fā)揮作用,為潛在的量子應(yīng)用開辟了新前景。, 據(jù)《自然》雜志16日報道,英國劍橋大學領(lǐng)導的一個國際研究團隊找到了一種控制有機半導體中光和量子“自旋”相互作用的方法,即使在室溫下也能發(fā)揮作用,為潛在的量子應(yīng)用開辟了新前景。 幾乎所有量子技術(shù)都涉及自旋。電子運動時通常會形成

當?shù)貢r間8月16日,英特爾宣布,由于無法及時獲得相關(guān)監(jiān)管部門的許可,公司與高塔半導體(Tower Semiconductor)同意終止之前披露的收購協(xié)議。根據(jù)之前的協(xié)議條款,英特爾將向高塔半導體支付3.53億美元的終止費。, 當?shù)貢r間8月16日,英特爾宣布,由于無法及時獲得相關(guān)監(jiān)管部門的許可,公司與高塔半導體(Tower Semiconductor)同意終止之前披露的收購協(xié)議。根據(jù)之前的協(xié)議條款,英特爾將向高塔半導

8月16日,英諾賽科官微宣布,截至2023年8月,其氮化鎵芯片出貨量成功突破3億顆。其產(chǎn)品在消費類(快充、手機、LED),汽車激光雷達,數(shù)據(jù)中心,新能源與儲能領(lǐng)域的多個應(yīng)用中大批量交付,幫助客戶實現(xiàn)小體積、高能效、低損耗的產(chǎn)品設(shè)計。, 8月16日,英諾賽科官微宣布,截至2023年8月,其氮化鎵芯片出貨量成功突破3億顆。其產(chǎn)品在消費類(快充、手機、LED),汽車激光雷達,數(shù)據(jù)中心,新能源與儲能領(lǐng)域的多個應(yīng)用中大批量交

據(jù)精彩魏都消息,8月15日,魏都區(qū)人民政府與深圳市領(lǐng)存技術(shù)有限公司簽約集成電路封裝生產(chǎn)測試項目。, 據(jù)精彩魏都消息,8月15日,魏都區(qū)人民政府與深圳市領(lǐng)存技術(shù)有限公司簽約集成電路封裝生產(chǎn)測試項目。 此次簽約的集成電路封裝生產(chǎn)測試基地項目占地約100畝,總投資約10億元,項目達產(chǎn)后預計可達每年540萬顆,實現(xiàn)年產(chǎn)值超20億元。 資料顯示,深圳市領(lǐng)存技術(shù)有限公司是一家軍用計算機及軍用存儲

近日,上海合晶、京儀裝備、艾森股份、蕊源科技、康希通信五家企業(yè)IPO現(xiàn)最新動態(tài),其招股書亮點頻現(xiàn)。, 近日,上海合晶、京儀裝備、艾森股份、蕊源科技、康希通信五家企業(yè)IPO現(xiàn)最新動態(tài),其招股書亮點頻現(xiàn)。 01 上海合晶成功過會 8月15日,據(jù)上海證券交易所上市審核委員會2023年第74次審議會議結(jié)果顯示,上海合晶硅材料股份有限公司(以下簡稱

當前全球半導體產(chǎn)業(yè)處于下行周期,但趕上國產(chǎn)替代化熱潮,半導體部分領(lǐng)域正逆勢增長,其中半導體設(shè)備成為業(yè)界多方關(guān)注的焦點。中國是全球最大半導體市場,但半導體自主生產(chǎn)率低下,仍面臨依賴海外先進半導體制造設(shè)備的現(xiàn)狀。就國內(nèi)來看,離子注入機是在集成電路前道工藝設(shè)備中, 當前全球半導體產(chǎn)業(yè)處于下行周期,但趕上國產(chǎn)替代化熱潮,半導體部分領(lǐng)域正逆勢增長,其中半導體設(shè)備成為業(yè)界多方關(guān)注的焦點。中國是全球最大半導體市場,但半導體自主生

近日,臺亞旗下的積亞半導體舉辦無塵室啟用儀式,首個機臺搬入。積亞未來將專門生產(chǎn)碳化硅(SiC)晶圓及功率半導體,預計將于2024年第三季度量產(chǎn)。, 近日,臺亞旗下的積亞半導體舉辦無塵室啟用儀式,首個機臺搬入。積亞未來將專門生產(chǎn)碳化硅(SiC)晶圓及功率半導體,預計將于2024年第三季度量產(chǎn)。 積亞半導體總經(jīng)理王培仁表示,積亞專職制造碳化硅,未來將以自制磊晶晶圓、定制化生產(chǎn)SiC積體電路晶圓,滿足客戶

當?shù)貢r間8月14日,處理器大廠英特爾(Intel)和EDA企業(yè)新思科技(Synopsys)宣布,雙方已達成一項最終協(xié)議,擴展公司長期的IP(知識產(chǎn)權(quán))和EDA(電子設(shè)計自動化)戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,為英特爾代工客戶開發(fā)基于Intel 3和Intel 18A的IP組合。英特爾先進工藝節(jié)點上關(guān)鍵IP的可用性, 當?shù)貢r間8月14日,處理器大廠英特爾(Intel)和EDA企業(yè)新思科技(Synopsys)宣布,雙方已達成一項最終

8月15日,華潤微電子發(fā)布公告稱,公司子公司潤鵬半導體(深圳)有限公司(以下簡稱“潤鵬半導體”)擬增資擴股并引入國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(以下簡稱“大基金二期”)等外部投資者。, 8月15日,華潤微電子發(fā)布公告稱,公司子公司潤鵬半導體(深圳)有限公司(以下簡稱“潤鵬半導體”)擬增資擴股并引入國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(以下簡稱“大基金二期”)等外部投資者。 本次交易完成

受全球通脹影響,2023年Server OEM及云端服務(wù)業(yè)者(CSP)持續(xù)盤整供應(yīng)鏈庫存,年度出貨量和ODM生產(chǎn)計劃均遭下修。TrendForce集邦咨詢目前觀察,由于服務(wù)器市場持續(xù)下行,AI領(lǐng)域需求又同時飆漲,壓縮到服務(wù)器新平臺的放量規(guī)模,預估今年服務(wù)器主板及整機出貨量均跌,分別同比減, TrendForce集邦咨詢:2024年全球服務(wù)器整機出貨量仍受限,預估同比增長僅2.3%

8月15日,國家統(tǒng)計局公布2023年7月份規(guī)模以上工業(yè)生產(chǎn)主要數(shù)據(jù)。根據(jù)數(shù)據(jù),7月份,規(guī)模以上工業(yè)增加值同比實際增長3.7%(增加值增速均為扣除價格因素的實際增長率)。從環(huán)比看,7月份,規(guī)模以上工業(yè)增加值比上月增長0.01%。1—7月份,規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長3.8%。, 8月15日,國家統(tǒng)計局公布2023年7月份規(guī)模以上工業(yè)生產(chǎn)主要數(shù)據(jù)。根據(jù)數(shù)據(jù),7月份,規(guī)模以上工業(yè)增加值同比實際增長

近期,建興儲存科技(鎧俠子公司)推出全球第一款支持浸沒式冷卻5年保固的SSD產(chǎn)品ER3系列企業(yè)級SATASSD。ER3 系列是專為滿足現(xiàn)今大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的嚴苛要求而誕生,具有高可靠性和高耐用度,可以應(yīng)對高工作負載和大量寫入操作,并支持服務(wù)器直接液體冷卻技術(shù)。, 近期,建興儲存科技(鎧俠子公司)推出全球第一款支持浸沒式冷卻5年保固的SSD產(chǎn)品ER3系列企業(yè)級SATASSD。ER3 系列是專為滿足現(xiàn)今大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的

BusinessKorea報道,電動汽車和自動駕駛汽車需求快速發(fā)展,市場對先進高性能半導體產(chǎn)品需求激增,從傳統(tǒng)成熟制程轉(zhuǎn)向先進制程,使車用電子的先進制程競爭愈劇烈。, BusinessKorea報道,電動汽車和自動駕駛汽車需求快速發(fā)展,市場對先進高性能半導體產(chǎn)品需求激增,從傳統(tǒng)成熟制程轉(zhuǎn)向先進制程,使車用電子的先進制程競爭愈劇烈。 韓國市場人士消息,車用半導體市場10納米以下先進制程競爭正在提升,目

近日,英國《金融時報》報道,沙特阿拉伯和阿拉伯聯(lián)合酋長國正在購買數(shù)以千計對構(gòu)建人工智能軟件至關(guān)重要的高性能英偉達芯片,加入全球人工智能軍備競賽。, 近日,英國《金融時報》報道,沙特阿拉伯和阿拉伯聯(lián)合酋長國正在購買數(shù)以千計對構(gòu)建人工智能軟件至關(guān)重要的高性能英偉達芯片,加入全球人工智能軍備競賽。 知情人士透露,沙特阿拉伯已經(jīng)通過公共研究機構(gòu)阿卜杜拉國王科技大學(Kaust)購買了至少3000枚英偉達的H

近期,業(yè)界動態(tài)頻頻:南京浦口擬發(fā)布促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干措施;上海半導體裝備材料二期基金完成15億首關(guān);寧波眾芯半導體光電和功率器件IDM項目、上海新昇半導體集成電路硅材料工程研發(fā)配套項目封頂;無錫市集成電路產(chǎn)業(yè)基金正式揭牌;禾賽麥克斯韋智造中心項目已, 近期,業(yè)界動態(tài)頻頻:南京浦口擬發(fā)布促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干措施;上海半導體裝備材料二期基金完成15億首關(guān);寧波眾芯半導體光電和功率器件IDM項目、上

8月11日,在2023年泰興(上海)投資推介會上,江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院/長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心半導體先進陶瓷材料研究所正式揭牌落戶江蘇泰州高新區(qū)。, 8月11日,在2023年泰興(上海)投資推介會上,江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院/長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心半導體先進陶瓷材料研究所正式揭牌落戶江蘇泰州高新區(qū)。

據(jù)行業(yè)媒體消息,為了克服低迷的存儲器市場狀況,三星電子計劃停止其位于韓國平澤市P1工廠的部分NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備。, 據(jù)行業(yè)媒體消息,為了克服低迷的存儲器市場狀況,三星電子計劃停止其位于韓國平澤市P1工廠的部分NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備。 據(jù)ZDNet Korea報道,業(yè)內(nèi)人士透露,三星目前正在考慮

據(jù)渭濱宣傳消息,近日,姜譚經(jīng)開區(qū)電子新材料產(chǎn)業(yè)園項目研發(fā)大樓主體結(jié)構(gòu)封頂,標志著項目進入二次結(jié)構(gòu)、裝飾裝修階段。, 據(jù)渭濱宣傳消息,近日,姜譚經(jīng)開區(qū)電子新材料產(chǎn)業(yè)園項目研發(fā)大樓主體結(jié)構(gòu)封頂,標志著項目進入二次結(jié)構(gòu)、裝飾裝修階段。 電子新材料產(chǎn)業(yè)園項目是市、區(qū)重點項目,總占地面積88畝,計劃建設(shè)10萬平方米生產(chǎn)廠房及技術(shù)研發(fā)大樓等輔助設(shè)施,新建20余條第三代半導體材料應(yīng)用、封裝測試等生產(chǎn)線。主要生產(chǎn)半

據(jù)泰州科技消息,8月11日,江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院/長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心半導體先進陶瓷材料研究所正式揭牌落戶江蘇泰興高新區(qū)。, 據(jù)泰州科技消息,8月11日,江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院/長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心半導體先進陶瓷材料研究所正式揭牌落戶江蘇泰興高新區(qū)。 半導體先進陶瓷材料研究所由泰興高新區(qū)、江蘇產(chǎn)研院/長三角國創(chuàng)中心、泰州產(chǎn)研院和清華大學潘偉教授團隊共同設(shè)立,以培育發(fā)展半導體材料和裝備部件產(chǎn)業(yè)為目標