終于，國(guó)內(nèi)DRAM龍頭長(zhǎng)鑫科技在2025年的年末向上交所遞交了招股書，擬登陸科創(chuàng)板。成立于2016年的長(zhǎng)鑫科技，始終圍繞DRAM存儲(chǔ)芯片展開全產(chǎn)業(yè)鏈布局，填補(bǔ)了中國(guó)大陸本土DRAM產(chǎn)品長(zhǎng)期“缺位”的局面。趕在2025年這輪由AI需求點(diǎn)燃的存儲(chǔ)周期高景氣階段啟動(dòng)IPO，無(wú)疑讓這家公司更受資本市場(chǎng)關(guān)注。
從招股書披露的數(shù)據(jù)來(lái)看，長(zhǎng)鑫在營(yíng)收端保持高速擴(kuò)張，伴隨產(chǎn)能持續(xù)爬坡，整體虧損逐年收窄，正處于從“高投入期”邁向“盈利釋放期”的關(guān)鍵拐點(diǎn)。
收入增速驚人：前三季度營(yíng)收超300億，全球份額逼近4%
本次IPO，長(zhǎng)鑫科技計(jì)劃募資295億元，資金將重點(diǎn)投向存儲(chǔ)器晶圓制造產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)、DRAM工藝平臺(tái)迭代以及前瞻性DRAM技術(shù)研發(fā)等項(xiàng)目。
公司在招股書中將自身定位為“國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)、產(chǎn)業(yè)布局最完整的DRAM研發(fā)設(shè)計(jì)制造一體化企業(yè)”。自2016年創(chuàng)立以來(lái)，長(zhǎng)鑫始終聚焦DRAM的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售。公司采取“跳代研發(fā)”路線，已完成從第一代到第四代工藝技術(shù)平臺(tái)的量產(chǎn)，并實(shí)現(xiàn)DDR4、LPDDR4X向DDR5、LPDDR5/5X的產(chǎn)品迭代覆蓋，目前核心產(chǎn)品與工藝水平均已躋身國(guó)際先進(jìn)陣營(yíng)。
具體到最新業(yè)績(jī)表現(xiàn)，2025年前三季度，長(zhǎng)鑫實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入320.84億元，同比大增97.79%，已超過(guò)2024年全年收入。同期整體虧損同比收窄逾12%。值得注意的是，前三季度息稅折舊攤銷前利潤(rùn)（EBITDA）高達(dá)158.51億元，同比大幅增長(zhǎng)151.32%；經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流量?jī)纛~也由22.23億元躍升至129.68億元，增幅高達(dá)483.36%。
當(dāng)前利潤(rùn)端仍承壓，主要來(lái)自持續(xù)高強(qiáng)度研發(fā)投入、新增折舊攤銷以及股份支付費(fèi)用的增加。隨著合肥一期、二期及北京產(chǎn)線持續(xù)建設(shè)，折舊支出在未來(lái)幾年仍將維持高位。
但從現(xiàn)金流和EBITDA的表現(xiàn)來(lái)看，長(zhǎng)鑫的核心DRAM業(yè)務(wù)在產(chǎn)能釋放后已具備較強(qiáng)的自我造血能力，為后續(xù)業(yè)績(jī)彈性與盈利爆發(fā)奠定了良好基礎(chǔ)。
2025年三季度（7–9月），受DRAM價(jià)格大幅上漲及公司產(chǎn)銷規(guī)模持續(xù)提升驅(qū)動(dòng)，長(zhǎng)鑫單季實(shí)現(xiàn)營(yíng)收166.46億元，同比大增148.8%，綜合毛利率攀升至35%。不過(guò)，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)、利潤(rùn)總額及凈利潤(rùn)的虧損收窄幅度仍低于收入增長(zhǎng)，根源依舊在于研發(fā)投入加碼、折舊攤銷增加以及股份支付增加。
從2022年至2024年的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)可以看出，長(zhǎng)鑫真正意義上的營(yíng)收“爆發(fā)點(diǎn)”出現(xiàn)在2024年：
2022年：受限于第一代、第二代DRAM產(chǎn)品（DDR4/LPDDR4）僅處于小規(guī)模量產(chǎn)階段，月產(chǎn)能約10萬(wàn)片，且全球DRAM價(jià)格低迷、產(chǎn)能利用率不足50%，公司收入基數(shù)較低，下游主要是國(guó)內(nèi)PC與移動(dòng)設(shè)備客戶，出口占比不足5%。
2023年：營(yíng)收增速放緩至9.64%，但第三代產(chǎn)品（19nm DDR4/LPDDR4X）實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，月產(chǎn)能擴(kuò)充至20萬(wàn)片，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化、高密度產(chǎn)品占比提升，對(duì)營(yíng)收形成一定支撐。
2024年：營(yíng)收同比飆升166.17%，創(chuàng)歷史新高。一方面，DRAM進(jìn)入上行周期，全球均價(jià)在AI服務(wù)器需求提振下反彈逾30%；另一方面，公司產(chǎn)能提升至31.16萬(wàn)片/月，利用率超過(guò)80%，第四代產(chǎn)品（17nm DDR5/LPDDR5）滲透率約20%，憑借更高單價(jià)顯著拉動(dòng)收入。
目前，長(zhǎng)鑫在合肥、北京兩地共運(yùn)營(yíng)3座12英寸DRAM晶圓廠。根據(jù)Omdia統(tǒng)計(jì)，按產(chǎn)能和出貨量計(jì)算，公司已成為中國(guó)第一、全球第四大DRAM廠商，僅次于三星電子、SK海力士和美光科技。
從銷售額角度測(cè)算，2024年三星在全球DRAM市場(chǎng)的份額約為40.35%，SK海力士、美光分別為33.19%和20.73%，三家合計(jì)占據(jù)全球超過(guò)九成市場(chǎng)。長(zhǎng)鑫則在2025年二季度將全球DRAM市占率提升至3.97%，正在從“追趕者”向“關(guān)鍵一極”邁進(jìn)。
DRAM全產(chǎn)業(yè)鏈布局：四年研發(fā)累計(jì)近190億元
產(chǎn)品體系方面，長(zhǎng)鑫提供DRAM晶圓、DRAM芯片及DRAM模組等多層次產(chǎn)品，核心覆蓋DDR與LPDDR兩大主流系列，可匹配服務(wù)器、移動(dòng)終端、PC和智能汽車等多種場(chǎng)景的應(yīng)用需求。
2019年9月，公司推出自主設(shè)計(jì)生產(chǎn)的8Gb DDR4產(chǎn)品，完成中國(guó)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)從“0到1”的突破。此后，最新一代LPDDR5X產(chǎn)品最高速率達(dá)10667Mbps，相較上一代提升約66%；首款國(guó)產(chǎn)DDR5產(chǎn)品速率達(dá)8000Mbps，單顆最高容量24Gb，并同步推出覆蓋多場(chǎng)景的七大模組方案，性能指標(biāo)已進(jìn)入國(guó)際領(lǐng)先梯隊(duì)。
基于自家DRAM芯片，長(zhǎng)鑫的模組產(chǎn)品線包括DDR4、DDR5系列，型譜涵蓋RDIMM、MRDIMM、UDIMM/CUDIMM、SODIMM/CSODIMM、LPCAMM等：
RDIMM、MRDIMM主要面向服務(wù)器；
UDIMM/CUDIMM用于工作站與臺(tái)式機(jī)；
SODIMM/CSODIMM面向筆記本及一體機(jī)；
LPCAMM則針對(duì)高性能輕薄本及移動(dòng)工作站等新形態(tài)終端。
容量規(guī)格方面，DDR4模組覆蓋8GB/16GB/32GB/64GB，速率可達(dá)3200Mbps；DDR5模組則提供8GB/16GB/32GB/64GB/96GB等多檔，速率可達(dá)5600Mbps乃至更高。
從收入結(jié)構(gòu)看，用于移動(dòng)設(shè)備的LPDDR系列在過(guò)去幾年始終是公司營(yíng)收主力，比例長(zhǎng)期維持在約80%。2025年，在AI數(shù)據(jù)中心需求拉動(dòng)下，DDR系列產(chǎn)品收入占比明顯提升，從過(guò)去不足20%升至27.82%。
客戶結(jié)構(gòu)方面，招股書披露，報(bào)告期各期（2022年、2023年、2024年及2025年1–9月），公司來(lái)自前五大客戶的銷售收入占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的比例依次為69.43%、74.12%、67.30%和59.99%。雖然客戶集中度仍偏高，但呈持續(xù)下降趨勢(shì)，表明客戶基礎(chǔ)正在逐步分散、結(jié)構(gòu)更加均衡。公司直接客戶以半導(dǎo)體行業(yè)頭部經(jīng)銷商為主，終端客戶則涵蓋阿里云、字節(jié)跳動(dòng)、騰訊、聯(lián)想、小米、傳音、榮耀等在內(nèi)的主要互聯(lián)網(wǎng)與終端設(shè)備廠商。
研發(fā)投入是長(zhǎng)鑫的“生命線”。招股書顯示，2022年至2025年上半年，公司累計(jì)研發(fā)投入達(dá)到188.67億元，占同期累計(jì)營(yíng)業(yè)收入的33.11%，顯著高于行業(yè)平均水平。2024年，公司研發(fā)投入為63.41億元，同比增長(zhǎng)35.77%；2025年上半年研發(fā)費(fèi)用率更是達(dá)到23.71%，遠(yuǎn)超三星電子、SK海力士、美光等國(guó)際巨頭同期水平。
截至2025年6月30日，公司在境內(nèi)外共擁有專利5589項(xiàng)，其中境內(nèi)專利3116項(xiàng)（含發(fā)明專利2348項(xiàng)）、境外專利2473項(xiàng)。2023年，長(zhǎng)鑫在國(guó)際專利申請(qǐng)公開數(shù)量上位列全球第22位；2024年，美國(guó)專利授權(quán)數(shù)量排名全球第42（中國(guó)企業(yè)中排第四）。研發(fā)團(tuán)隊(duì)規(guī)模方面，公司擁有4653名研發(fā)人員，占員工總數(shù)超過(guò)30%，形成了覆蓋產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝開發(fā)等全鏈條的專業(yè)技術(shù)梯隊(duì)，為技術(shù)迭代提供了堅(jiān)實(shí)的人才基礎(chǔ)。
2025年全年?duì)I收有望達(dá)550–580億元，沖刺扭虧為盈
2025年前三季度超過(guò)320億元的收入表現(xiàn)已經(jīng)十分亮眼，而對(duì)于四季度乃至全年，公司給出了更為積極的預(yù)期——這也從側(cè)面印證了DRAM行業(yè)景氣度在2025年下半年仍在延續(xù)。
長(zhǎng)鑫在招股書中表示，隨著產(chǎn)銷規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化以及2025年下半年以來(lái)DRAM價(jià)格的快速上漲，公司預(yù)計(jì)2025年全年?duì)I業(yè)收入將較上年同期大幅提升，凈利潤(rùn)有望實(shí)現(xiàn)由負(fù)轉(zhuǎn)正，歸母凈利潤(rùn)虧損規(guī)模將同比大幅收窄。
公司預(yù)計(jì)，2025年全年?duì)I收將在550億–580億元區(qū)間內(nèi)，實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)20億–35億元?？紤]到前三季度凈利潤(rùn)仍虧損約60億元，這意味著公司對(duì)第四季度的盈利能力給出相當(dāng)樂觀的判斷——單季凈利潤(rùn)有望達(dá)到80億–95億元。
股權(quán)結(jié)構(gòu)分散：無(wú)控股股東、無(wú)實(shí)控人，阿里云與兆易創(chuàng)新在列前十
在公司治理結(jié)構(gòu)上，長(zhǎng)鑫在招股書中披露，目前公司不存在控股股東與實(shí)際控制人，且最近兩年實(shí)際控制人未發(fā)生變更。
截至招股書簽署日，直接持股5%以上的股東包括：
清輝集電：持股21.67%
長(zhǎng)鑫集成：持股11.71%
大基金二期：持股8.73%
合肥集鑫：持股8.37%
安徽省投：持股7.91%
上述股東中并無(wú)單一主體持股超過(guò)50%，整體股權(quán)結(jié)構(gòu)相對(duì)分散。
前十大股東中，阿里云計(jì)算與兆易創(chuàng)新亦在其中，持股比例分別為3.85%、1.8%，分列第六和第八大股東。這一股東陣容，在一定程度上也反映了長(zhǎng)鑫與本土云計(jì)算、存儲(chǔ)控制器等上下游企業(yè)之間的協(xié)同關(guān)系。
小結(jié)：國(guó)產(chǎn)DRAM“從燒錢到造血”的樣本
整體來(lái)看，長(zhǎng)鑫科技這份招股書，幾乎是過(guò)去十年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體自主替代路徑的一面鏡子：從早期高投入、高燒錢，到技術(shù)平臺(tái)逐代突破，再到產(chǎn)能持續(xù)爬坡、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，最終在AI帶來(lái)的新一輪存儲(chǔ)周期中抓住機(jī)會(huì)，邁向扭虧為盈。
用“務(wù)實(shí)”來(lái)概括并不為過(guò)：
在技術(shù)路徑上，堅(jiān)持DRAM主線，選擇“跳代研發(fā)”，追趕國(guó)際先進(jìn)水平；
在產(chǎn)品布局上，從DDR4/LPDDR4到DDR5/LPDDR5X，再到模組全系列覆蓋，逐步完善應(yīng)用場(chǎng)景；
在經(jīng)營(yíng)上，依靠高強(qiáng)度研發(fā)投入與多年產(chǎn)線建設(shè)，在周期向上階段實(shí)現(xiàn)規(guī)模與現(xiàn)金流的明顯改善。
作為國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)的核心力量，長(zhǎng)鑫在技術(shù)突破與國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程中承擔(dān)了關(guān)鍵角色。但短期內(nèi)，公司仍需直面存儲(chǔ)行業(yè)的周期波動(dòng)、高額固定成本以及工藝迭代帶來(lái)的持續(xù)投入壓力。
展望未來(lái)，隨著現(xiàn)有產(chǎn)線良率和利用率進(jìn)一步提高、新產(chǎn)品放量以及行業(yè)景氣維持，高研發(fā)投入有機(jī)會(huì)向盈利能力和市場(chǎng)份額的持續(xù)提升轉(zhuǎn)化。IPO募資的順利推進(jìn)，也將為長(zhǎng)鑫后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張以及HBM等高端存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)提供重要資金支持，為中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)注入更強(qiáng)的“內(nèi)生動(dòng)力”。
