日本將建尖端半導(dǎo)體研發(fā)中心，目標(biāo)于2029財年投入使用

12 月 15 日消息，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣赤澤亮正正式宣布，該國國立研究機(jī)構(gòu) —— 產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研，AIST）將在北海道千歲市建設(shè)一座開放式尖端半導(dǎo)體研發(fā)中心，目標(biāo)于 2029 財年（2029 年 4 月至 2030 年 3 月）投入使用。

據(jù)介紹，這座研發(fā)中心定位為公共技術(shù)平臺，將面向千歲市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的上下游企業(yè)、高校及科研機(jī)構(gòu)開放，提供技術(shù)共享與協(xié)同研發(fā)服務(wù)，核心聚焦 2nm 及以下先進(jìn)制程半導(dǎo)體的工藝突破、材料研發(fā)及設(shè)備優(yōu)化。關(guān)鍵設(shè)備引進(jìn)方面，若日本國會通過 2025 財年補(bǔ)充預(yù)算，項目將啟動下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)（由荷蘭 ASML 開發(fā)）的采購工作，該設(shè)備是實現(xiàn)先進(jìn)制程芯片生產(chǎn)的核心硬件支撐。

資金保障層面，日本政府已明確初步投入計劃：2025-26 財年初始預(yù)算中安排 318 億日元（約合 2.04 億美元），并擬從同期補(bǔ)充預(yù)算中追加 988 億日元，相關(guān)預(yù)算仍在議會審議中。同時，三菱日聯(lián)、住友三井、瑞穗三家日本大型銀行已向 Rapidus 發(fā)出不具約束力的貸款意向書，貸款總額有望高達(dá) 2 萬億日元（約合 906.66 億元人民幣），這筆資金將間接支撐研發(fā)中心與 Rapidus 的協(xié)同研發(fā)及技術(shù)轉(zhuǎn)化工作。

值得關(guān)注的是，該研發(fā)中心與同在千歲市的 Rapidus 晶圓廠將形成緊密協(xié)同效應(yīng)。Rapidus 作為日本政府重點扶持的半導(dǎo)體企業(yè)，計劃 2027 財年下半年啟動 2nm 芯片大規(guī)模量產(chǎn)，目前已在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)試點生產(chǎn)線并與美國 IBM 達(dá)成技術(shù)合作，掌握 GAA 環(huán)繞柵極晶體管核心技術(shù)。產(chǎn)綜研研發(fā)中心將提前開展先進(jìn)制程設(shè)備的試制與技術(shù)攻關(guān)，待技術(shù)成熟后移交 Rapidus，助力其提升量產(chǎn)良率、縮短量產(chǎn)周期，實現(xiàn) “研發(fā)成果快速落地” 的產(chǎn)業(yè)閉環(huán)。