英飛凌近日推出旗下首款符合AEC-Q101標準的100V CoolGaN?汽車級晶體管系列，同時已開始提供相關(guān)的預(yù)生產(chǎn)產(chǎn)品樣品，涵蓋高壓CoolGaN汽車晶體管及雙向開關(guān)產(chǎn)品。英飛凌氮化鎵產(chǎn)品線負責人Johannes Schoiswohl表示，100V GaN汽車晶體管的量產(chǎn)與未來高壓產(chǎn)品譜系的擴展，是推動汽車行業(yè)高效、可靠功率器件發(fā)展的重要里程碑。
此次發(fā)布的100V G1系列，采用增強型設(shè)計，典型導通電阻低至3.3mΩ，集成于3x5mm PQFN緊湊封裝中，在-40°C至+150°C溫區(qū)內(nèi)保持穩(wěn)定性能。得益于優(yōu)異的高頻特性，該產(chǎn)品可將開關(guān)損耗降低70%以上，并有效縮減48V/12V混合動力架構(gòu)下區(qū)域控制單元及主DC-DC轉(zhuǎn)換器中的磁性元件體積，空間節(jié)省超30%。
在實際應(yīng)用中，GaN晶體管的高頻能力顯著提升了混合電源架構(gòu)下電感、電容的效率與體積利用率，并在提升整體能效的同時，為ADAS、激光雷達、線控轉(zhuǎn)向以及車載音響等多個系統(tǒng)提供了高效供電方案。英飛凌方面指出，隨著汽車行業(yè)從傳統(tǒng)12V系統(tǒng)逐漸向更為先進的48V架構(gòu)演進，尤其是在軟件定義汽車加速滲透的背景下，氮化鎵技術(shù)將持續(xù)發(fā)揮關(guān)鍵作用，不僅推動系統(tǒng)效能和性能提升，還助力線控轉(zhuǎn)向、底盤實時控制等新一代創(chuàng)新功能的落地，進一步優(yōu)化駕駛體驗與操控精準性。
此外，英飛凌同步推出專為高壓應(yīng)用打造的CoolGaN晶體管及雙向開關(guān)預(yù)生產(chǎn)樣品，面向未來車載充電器（OBC）、牽引逆變器等高壓場景。其650V G5系列產(chǎn)品已成功應(yīng)用于消費電子與數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，接下來也將逐步延伸至汽車高壓市場。
目前，GaN器件在車載領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。業(yè)內(nèi)企業(yè)如英諾賽科已量產(chǎn)多款車規(guī)級GaN產(chǎn)品，例如40V的INN040FQ045A-Q（FCQFN封裝，4.5mΩ導通電阻），通過多項嚴苛驗證，適用于高頻DC-DC和電機驅(qū)動；100V的INN100W135A-Q采用超小型封裝，開關(guān)速度顯著優(yōu)于硅材料，是高階自動駕駛激光雷達的核心部品。
主流Tier1供應(yīng)商也加快相關(guān)產(chǎn)品落地步伐，如匯川聯(lián)合動力推出的6.6kW GaN二合一OBC，采用先進PFC變頻與動態(tài)母線管理，實現(xiàn)96%滿載效率和4.8kW/L高功率密度，整機重量降低20%；聯(lián)合電子推出的超級氮化鎵車載充電機運用“GaN+SiC”組合，達到6.8kW/L密度并顯著降低磁件尺寸；浩思動力將GaN集成至增程器，提高發(fā)電效率2%，縮減電控體積30%；陽光電動力的二合一OBC則憑借GaN和單級架構(gòu)，達成6.1kW/L功率密度與96.2%全電壓充電效率，設(shè)備重量降低25%以上。
自收購GaN Systems以來，英飛凌已實現(xiàn)電壓型與電流型驅(qū)動技術(shù)的整合，產(chǎn)品線覆蓋40V至700V全段。在車規(guī)級GaN產(chǎn)品領(lǐng)域，得益于GaN Systems的研發(fā)基礎(chǔ)，英飛凌正式躋身車規(guī)級GaN FET市場。展望未來，英飛凌將通過Si、SiC及GaN的技術(shù)協(xié)同，構(gòu)建涵蓋高低壓的完整汽車功率器件解決方案，助力行業(yè)技術(shù)升級與創(chuàng)新落地。
