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          PCIM Asia2025上,三家國(guó)際大廠重磅產(chǎn)品上新

          2025-10-10 9:18:00
          • 碳化硅(SiC)領(lǐng)跑全球功率半導(dǎo)體創(chuàng)新熱潮

          PCIM Asia2025上,三家國(guó)際大廠重磅產(chǎn)品上新

          PCIM Asia 2025前瞻:碳化硅(SiC)領(lǐng)跑全球功率半導(dǎo)體創(chuàng)新熱潮

          2025年第二季度,伴隨純電動(dòng)車(BEV)市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng),全球電動(dòng)車牽引逆變器出貨量達(dá)到766萬(wàn)臺(tái),同比增長(zhǎng)19%。在逆變器所用的功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中,碳化硅(SiC)器件的滲透率提升至17%,除了繼續(xù)在純電動(dòng)車中普及,還開(kāi)始擴(kuò)展到插電混動(dòng)(PHEV)及增程式(REEV)等領(lǐng)域,這部分裝機(jī)合計(jì)占比近19%,實(shí)現(xiàn)了在中國(guó)本土品牌的快速布局。

          除了汽車領(lǐng)域,AI數(shù)據(jù)中心的建設(shè)也帶動(dòng)了SiC器件的新一輪增長(zhǎng)。AI服務(wù)器單柜功率突破數(shù)百千瓦,對(duì)電源系統(tǒng)效率與密度提出了更高要求。SiC MOSFET憑借1200V以上高耐壓和低損耗優(yōu)勢(shì),已成為AI服務(wù)器電源側(cè)AC-DC變換的核心。調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia預(yù)計(jì),2024年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)757億美元,2025年有望增長(zhǎng)至815億美元,其中中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到381億美元。

          PCIM Asia 2025展會(huì)亮點(diǎn):廠商爭(zhēng)相推出SiC創(chuàng)新方案

          9月24-26日舉辦的PCIM Asia 2025上,安森美、英飛凌、東芝、揚(yáng)杰科技等頭部企業(yè),密集展示了最新碳化硅器件與配套系統(tǒng)解決方案。

          英飛凌:CoolSiC MOSFET新品聚焦車載、光伏和AI應(yīng)用

          英飛凌本次展出CoolSiC? MOSFET 2025年度全新產(chǎn)品線,包括G2 1200V、1400V以及G2 750V多種封裝方案。其中,1200V單管采用Q-DPAK頂部散熱封裝,實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的散熱和系統(tǒng)集成度;1400V新品針對(duì)1000V以上母線電壓場(chǎng)景,具備行業(yè)領(lǐng)先的6mΩ超低導(dǎo)通電阻。750V芯片則覆蓋車規(guī)和工規(guī)兩大線路,Q-DPAK封裝下導(dǎo)通內(nèi)阻低至4mΩ,提升系統(tǒng)抗干擾能力、兼容高溫工作環(huán)境。

          值得關(guān)注的是,英飛凌全新800V SiC主驅(qū)逆變器方案采用1200V SiC MOSFET,為電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供高達(dá)750A電流輸出,且持續(xù)結(jié)溫可達(dá)200°C。嵌入式碳化硅方案也首次亮相,該方案通過(guò)將英飛凌G2p系列SiC集成于PCB,可大幅降低雜散電感,將高壓紋波從數(shù)百伏降低至30-50V,進(jìn)一步釋放1200V器件在高壓應(yīng)用中的潛力。

          安森美:AI數(shù)據(jù)中心與高性能驅(qū)動(dòng)并舉

          安森美展出一系列面向AI數(shù)據(jù)中心的高性能電源Demo,包括12kW AI云計(jì)算電源單元、3kW圖騰柱PFC與車載主驅(qū)逆變器方案。其12kW PSU采用新一代M3S MOSFET與SiC JFET,具備高開(kāi)關(guān)頻率和卓越流片散熱能力,專為AI場(chǎng)景設(shè)計(jì)。主驅(qū)逆變器模塊M3e EliteSiC支持2.1mΩ極低導(dǎo)通電阻,配套模塊支持低至4nH的雜散電感,通過(guò)螺絲/壓接等靈活安裝,滿足高密度集成需求。其隔離式柵極驅(qū)動(dòng)同樣面向車規(guī)級(jí)高可靠應(yīng)用,最高峰值電流達(dá)15A,支持ISO 26262功能安全標(biāo)準(zhǔn)。

          東芝聯(lián)合基本半導(dǎo)體,共推車載碳化硅模塊

          兩家公司本次展會(huì)上聯(lián)合發(fā)布了多款針對(duì)新能源汽車市場(chǎng)的碳化硅模塊。東芝新款內(nèi)嵌SiC芯片模塊采用六并聯(lián)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)1200V/650A高規(guī)格,兼?zhèn)涞蛯?dǎo)通電阻和優(yōu)良散熱性能,助力客戶縮短逆變器系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)周期。此外,碳化硅SSC半橋模塊則進(jìn)一步追求模塊小型化和易用性,單模塊尺寸69×49.2×22mm。

          趨勢(shì)總結(jié):嵌入式與高集成成新標(biāo)配,SiC行業(yè)步入“銅時(shí)代”

          隨著產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇,SiC器件及封裝材料正在迎來(lái)從鋁基板向銅基板升級(jí)。以主要廠商為例,其Easy 2C、Easy HD、HybridPACK? HD等多款新一代產(chǎn)品已全線采用銅基板與銅線制程,持久結(jié)溫提升至175°C,相比上一代降低熱阻達(dá)12%。此外,系統(tǒng)級(jí)“嵌入式+超薄”電源方案不斷落地,模塊高度和整體體積縮小至傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的三分之一內(nèi),預(yù)示著“機(jī)電一體化”新形態(tài)加速成型。

          目前,PCIM Asia 2025已成為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新的窗口,頭部企業(yè)搶灘發(fā)布新品,SiC未來(lái)的效率、可靠性和集成度,正不斷刷新行業(yè)新高。

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