2025年第二季度，全球電動(dòng)車逆變器市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)張。
TrendForce數(shù)據(jù)顯示，得益于純電動(dòng)車（BEV）銷售上漲，全球牽引逆變器出貨量達(dá)766萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)19%。其中，碳化硅（SiC）逆變器滲透率提升至17%，其應(yīng)用已從BEV主流擴(kuò)展到插混（PHEV）、增程式（REEV）車型，兩者的合計(jì)裝機(jī)占比接近19%，且全部為中國(guó)本土車企貢獻(xiàn)。
AI數(shù)據(jù)中心亦拉動(dòng)SiC需求。
隨著AI服務(wù)器單機(jī)柜功率突破數(shù)百千瓦，對(duì)電源的效率和功率密度要求越來(lái)越高。SiC MOSFET憑借1200V以上耐壓和低損耗特點(diǎn)，成為數(shù)據(jù)中心PSU前端AC-DC變換的核心。在Omdia的數(shù)據(jù)中，預(yù)計(jì)2024年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)757億美元，2025年將增至815億美元，中國(guó)作為最大消費(fèi)國(guó)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)381億美元。
PCIM Asia 2025亮相，多家廠商展示SiC新品
9月24-26日，PCIM Asia 2025在上海新國(guó)際博覽中心舉行，安森美、英飛凌、東芝及揚(yáng)杰科技均展出碳化硅創(chuàng)新技術(shù)和應(yīng)用方案。
【英飛凌】
英飛凌在展會(huì)上帶來(lái)新一代CoolSiC? MOSFET G2（1200V/1400V多封裝），其中1200V產(chǎn)品采用Q-DPAK頂部散熱，提升熱性能與功率密度。1400V新品專為1000V以上母線電壓優(yōu)化，最低導(dǎo)通電阻降至6mΩ。此外，CoolSiC? MOSFET G2 750V車型Q-DPAK封裝產(chǎn)品導(dǎo)通內(nèi)阻低至4mΩ，支持單級(jí)驅(qū)動(dòng)及最高200℃節(jié)溫過(guò)載。
值得注意的是，英飛凌還展出其嵌入式碳化硅模塊，G2p系列SiC嵌入PCB設(shè)計(jì)，有效降低雜散電感、系統(tǒng)電壓紋波由數(shù)百伏降至30-50V區(qū)間，為1200V器件大規(guī)模應(yīng)用鋪路。
【安森美】
安森美展示了面向AI數(shù)據(jù)中心的12kW云計(jì)算PSU Demo，該產(chǎn)品集成M3S MOSFET與SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更高開(kāi)關(guān)頻率和出色熱管理。其3kW圖騰柱PSU SiC產(chǎn)品支持85-230Vac輸入，輸出48Vdc，結(jié)構(gòu)緊湊，采用NCP1681圖騰柱PFC，提升散熱效率。在主驅(qū)逆變器方面，M3e EliteSiC?模塊實(shí)現(xiàn)2.1mΩ極低Rsp、4nH以下雜散電感，配套NCV51755隔離驅(qū)動(dòng)器，滿足ISO-26262 ASIL-D安全等級(jí)。
【東芝&基本半導(dǎo)體】
兩家公司攜手推出多款以車載應(yīng)用為目標(biāo)的高性能SiC功率器件。東芝HPD模塊采用六并聯(lián)設(shè)計(jì)，1200V/650A規(guī)格，強(qiáng)調(diào)低導(dǎo)通阻抗及優(yōu)異散熱性能，加快客戶評(píng)估與開(kāi)發(fā)。SSC塑封模塊內(nèi)置4并聯(lián)SiC芯片，尺寸僅69×49.2×22mm，為逆變器小型化助力。
行業(yè)趨勢(shì)觀察
今年P(guān)CIM Asia SiC新品頻發(fā)，產(chǎn)業(yè)鏈正集體推進(jìn)效率、功率密度與成本革新。大廠如英飛凌、安森美的新一代器件普遍采用銅基板與銅線升級(jí)散熱封裝，持續(xù)降低熱阻，提高工作結(jié)溫。系統(tǒng)級(jí)則以“嵌入式+超薄”方案為主流，推動(dòng)IPM和PCB技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)更緊湊結(jié)構(gòu)和更高集成度。SiC正加速引領(lǐng)“機(jī)電一體化”變革，將逆變器硬件厚度與體積壓縮到30%以下。
