愛發(fā)科集團(tuán)推出三款先進(jìn)半導(dǎo)體核心設(shè)備，助力行業(yè)技術(shù)突破
2025年3月27日，Semicon China 2025上海展會上，全球領(lǐng)先的真空設(shè)備制造商愛發(fā)科集團(tuán)正式發(fā)布三款面向先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的核心設(shè)備：多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX、針對12英寸晶圓的集群式先進(jìn)電子制造系統(tǒng)uGmni-300以及離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H。新品以“靈活高效、智能協(xié)同”為核心理念，覆蓋晶圓制造、化合物半導(dǎo)體及封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域，為客戶提供突破性解決方案，加速技術(shù)升級和產(chǎn)能提升。
多腔室薄膜沉積系統(tǒng)：ENTRON-EXX——產(chǎn)能突破的靈活智造平臺
ENTRON-EXX通過“靈活布局”、“高效生產(chǎn)”和“智能運(yùn)維”三大創(chuàng)新特性重新定義了薄膜沉積工藝，廣泛適用于邏輯芯片、存儲器（DRAM、NAND、新型非易失存儲器）、封裝等尖端領(lǐng)域。
核心創(chuàng)新點(diǎn)：
靈活模塊化設(shè)計(jì)： 采用即插即用的模塊平臺，大幅提升操作便捷性，實(shí)現(xiàn)模塊替換時間減少50%。系統(tǒng)最多支持12個模塊配置（包含8個工藝模塊、2個Degas模塊、1個冷卻模塊及1個對準(zhǔn)模塊），滿足客戶多樣化需求。
卓越生產(chǎn)力表現(xiàn)： 相比上一代產(chǎn)品，單平臺占地面積減少10%，組合平臺減少5%，提高潔凈室空間的利用率。
智能數(shù)據(jù)賦能： 數(shù)據(jù)采集效率提升至原機(jī)型的10倍，增加傳感器數(shù)量以采集更精準(zhǔn)的實(shí)時運(yùn)行數(shù)據(jù)，助力設(shè)備高效維護(hù)。
集群式先進(jìn)電子制造系統(tǒng)：uGmni-300——12英寸晶圓一站式解決方案
uGmni-300專為12英寸（300mm）晶圓設(shè)計(jì)，以“統(tǒng)一傳輸核心”為技術(shù)核心，實(shí)現(xiàn)濺射、刻蝕、去膠及CVD等多種工藝的高效整合。
核心優(yōu)勢：
全工藝兼容： 可靈活組合濺射、PE-CVD等工藝模塊，適配先進(jìn)封裝、MEMS及光電器件制造需求。
支持多尺寸基板： 除12寸晶圓外，uGmni系列還推出適用于8寸晶圓的uGmni-200，滿足不同制造需求。
智能協(xié)同管理： 簡化備件庫存，通過標(biāo)準(zhǔn)化組件設(shè)計(jì)提升運(yùn)行效率，并靈活支持多形狀、多邊的設(shè)備對接方案。
離子注入系統(tǒng)：SOPHI-200-H——突破束流極限的高效精密制造平臺
專為功率器件、MEMS及特殊材料設(shè)計(jì)的高性能離子注入設(shè)備，SOPHI-200-H在高精度與高效率方面實(shí)現(xiàn)了行業(yè)新突破。
技術(shù)特點(diǎn)：
束流強(qiáng)度倍增： 工作穩(wěn)定性覆蓋nA至mA量級，束流平行度控制精準(zhǔn)度達(dá)到0.1度，為復(fù)雜工藝提供一致性支持。
多樣基板兼容： 可處理50μm至2000μm厚度的基板，兼容玻璃基板及TAIKO基板，拓寬應(yīng)用領(lǐng)域。
生產(chǎn)效率升級： 高效從低能到高能全工藝覆蓋，減少設(shè)備切換成本，為制造流程帶來顯著優(yōu)化。
技術(shù)創(chuàng)新與市場價(jià)值
愛發(fā)科此次發(fā)布的三款設(shè)備通過靈活模塊化和智能協(xié)同設(shè)計(jì)，有效解決了“小批量、多品類”柔性制造需求，同時助力碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝領(lǐng)域技術(shù)突破。新品廣泛覆蓋從研發(fā)到量產(chǎn)的全周期需求，為全球客戶加速探索“智造未來”提供了針對此領(lǐng)域的完整解決方案。
愛發(fā)科中國市場總監(jiān)王禹表示：“我們始終秉承客戶至上的原則，在設(shè)備改進(jìn)和創(chuàng)新探索中，致力于為客戶提供高品質(zhì)解決方案。未來，我們將協(xié)同行業(yè)伙伴，推動半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)迭代，與來自新能源、人工智能等領(lǐng)域的前沿技術(shù)深度融合，共同邁向行業(yè)新時代?！?/p>
