積塔半導體聯(lián)合新型鐵電存儲器供應商無錫舜銘存儲科技有限公司合作開發(fā)，于2023年12月成功推出國內首款110納米技術的新型鐵電存儲器產品。
據(jù)官方介紹，該項技術由積塔半導體模擬與數(shù)?；旌涎邪l(fā)處（TD2）MCU研發(fā)團隊，歷經一年研發(fā)成功，完成了新型鐵電技術的三項重大突破。
第一，新型鐵電技術首次在110nm技術節(jié)點實現(xiàn)量產；第二，新型鐵電存儲器的可靠性比現(xiàn)有技術提升了10倍；第三，實現(xiàn)了新型鐵電存儲技術從平面結構存儲單元到3D結構存儲單元的跨越。
FeRAM（鐵電隨機存取存儲器Ferroelectric RAM），采用鐵電質膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)，同時具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢，被認為是未來存儲器發(fā)展方向之一。
積塔半導體表示，此次推出的鐵電存儲器技術是基于鉿基氧化物的新型鐵電存儲技術。相比于傳統(tǒng)的存儲器技術，該技術擁有高速讀寫，高耐久性，低功耗，抗電磁干擾和抗輻照等特點，性能優(yōu)越，可靠性高，非常適用于車載，電力，工控，和可穿戴等場景，并且在人工智能領域也有廣泛的應用前景。
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