近期，英飛凌與安克創(chuàng)新、盛弘電氣兩大廠商達(dá)成合作。其中，英飛凌將為盛弘電氣提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半導(dǎo)體器件、EiceDRIVER緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品。
同時(shí)，英飛凌還宣布與安克創(chuàng)新（Anker Innovations）在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心。該應(yīng)用中心已于2023年12月底正式揭牌并投入使用。
該中心將基于英飛凌新一代混合反激式（HFB）控制器產(chǎn)品系列和用于100 W以上快充充電器的CoolGaN IPS產(chǎn)品系列進(jìn)行開發(fā)，為市場(chǎng)提供更高功率密度與高能效的PD快充解決方案。
SiC與GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模在未來數(shù)年都將保持較高增速，據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，2022年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達(dá)到53.3億美元，CAGR達(dá)35%；全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，CAGR高達(dá)65%。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
來源：全球半導(dǎo)體觀察
