韓國三星日前與荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備商ASML簽署了價值1萬億韓元（約7.55億美元）的協(xié)議，兩家公司將在韓國投資建造半導(dǎo)體芯片研究工廠，并將在該研究工廠開發(fā)新一代EUV半導(dǎo)體制造技術(shù)。三星電子副董事長兼設(shè)備解決方案部門負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun強(qiáng)調(diào)，兩家公司的最新協(xié)議將幫助其獲得下一代High-NA EUV光刻機(jī)。
根據(jù)外媒sammobile的報道，Kyung表示三星已經(jīng)獲得High-NA EUV技術(shù)的優(yōu)先權(quán)。而且，這次的協(xié)議為三星創(chuàng)造了一個機(jī)會，可以長期優(yōu)化 High-NA 半導(dǎo)體曝光技術(shù)在 DRAM 和邏輯芯片在生產(chǎn)中的使用。
報道強(qiáng)調(diào)，三星與ASML的協(xié)議，是在韓國京畿道即將建成的芯片研究工廠中，兩家公司的工程師將共同努力改進(jìn)EUV制程技術(shù)的半導(dǎo)體生產(chǎn)。另外，三星與ASML的交易重點不是將2納米芯片的制造設(shè)備引進(jìn)韓國，重點是與這家荷蘭公司建立合作伙伴關(guān)系，以便它可以更好的利用下一代光刻機(jī)設(shè)備。
ASML將在未來幾個月內(nèi)推出能制造2納米節(jié)點芯片的設(shè)備。其最新的High-NA EUV光刻機(jī)的孔徑將從0.33，提高到0.55，這將使芯片制造商能夠使用超精細(xì)圖案化技術(shù)來制造2納米節(jié)點芯片。因此，ASML計劃2024年生產(chǎn)10臺High-NA EUV，據(jù)悉英特爾已采購了其中6臺。未來幾年，ASML計劃將此類半導(dǎo)體芯片設(shè)備的產(chǎn)能提高到每年20套。
另外，從ASML High-NA EUV光刻機(jī)后，三星計劃在2025年底開始生產(chǎn)2納米節(jié)點制程芯片。然而，與任何技術(shù)和計劃一樣，此類芯片的推出也可能會延遲，具體狀況將取決于市場狀況和良率。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
