制造商編號：
IRF5210PBF
制造商：Infineon Technologies
說明：
MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
數(shù)據(jù)表:
IRF5210PBF 數(shù)據(jù)表 (PDF)
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制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 60 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 120 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g
