制造商編號：
IRF9540NSTRRPBF
制造商：Infineon Technologies
說明：
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC
壽命周期: 壽命結(jié)束: 將過時且制造商將停產(chǎn)。
數(shù)據(jù)表:
IRF9540NSTRRPBF 數(shù)據(jù)表 (PDF)
ECAD模型:為｛0｝構(gòu)建或請求PCB符號、占位面積或型號下載免費庫加載程序，將此文件轉(zhuǎn)換，以供您的ECAD工具使用。了解詳情。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
REACH - SVHC:
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 23 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 117 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 64.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 51 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 5.3 S
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 67 ns
800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 51 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg
