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          MTS2024議程更新;Mobile DRAM合約價將上漲;新加坡將增一座12英寸晶圓廠...

          2023-10-30 9:29:00
          • MTS2024議程更新;Mobile DRAM合約價將上漲;新加坡將增一座12英寸晶圓廠...

          MTS2024議程更新;Mobile DRAM合約價將上漲;新加坡將增一座12英寸晶圓廠...

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          MTS2024議程更新
          新加坡將增一座12英寸晶圓廠
          Mobile DRAM、NAND Flash合約價將上漲
          SK海力士公布Q3營收

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          MTS2024議程更新

          展望2024年,存儲器產(chǎn)業(yè)將迎來哪些新變化?技術(shù)又將有什么新變革?市場又將有何新趨勢?

          2023年11月8日(周三),集邦咨詢將在深圳舉辦2024存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會 (Memory Trend Seminar 2024)。屆時,集邦咨詢資深分析師團隊以及來自美光/Solidigm/西數(shù)/慧榮科技/浪潮信息/時創(chuàng)意/大普微/歐康諾/皇虎測試/瀾起科技等公司的重磅嘉賓將同臺演講,為業(yè)界提供前瞻戰(zhàn)略規(guī)劃思考。

          MTS2024即將揭開神秘面紗,最新議程現(xiàn)已公布,歡迎點擊下方長圖了解。同時,報名通道即將截止,歡迎業(yè)界朋友抓緊時間報名...詳情請點擊《議程更新!MTS2024存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會精彩不容錯過》

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          存儲芯片價格觀察

          據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領(lǐng)漲項目。

          季漲幅擴大包括幾個原因,供應(yīng)方面:三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動,華為Mate 60系列等也刺激其他中國智能手機品牌擴大生產(chǎn)目標,短時間內(nèi)涌入的需求也成為推動第四季的合約價漲勢的原因之一。

          展望2024年第一季,預估整體存儲器的漲勢將延續(xù),不過由于傳統(tǒng)淡季及春節(jié)工作日較少的原因,追價氛圍或有一些降溫,但目前預估明年第一季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)合約價仍會續(xù)漲,漲幅則視后續(xù)原廠是否維持保守的投產(chǎn)策略,以及終端是否有實質(zhì)買氣支撐而定...詳情請點擊《研報 | 第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價將上漲,漲勢或?qū)⒀永m(xù)至明年第一季》

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          又一座晶圓廠新動態(tài)

          近期,日媒報道,世界先進即將決定赴新加坡興建其首座12英寸晶圓廠,該工廠主要為滿足車用芯片需求,投資金額至少達20億美元。此前世界先進董事長方略表示,公司正在考慮在中國臺灣或新加坡建造一座新的12英寸工廠,但沒有具體說明該決定的時間表。

          今年8月,媒體報道顯示,臺積電同意投資世界先進計劃在新加坡設(shè)立的一家12英寸晶圓廠。報道稱,這家新加坡工廠將生產(chǎn)28納米芯片,最早可能在2026年完工。

          對此,業(yè)界認為一旦世界先進前往新加坡設(shè)立12英寸工廠,這意味著臺積電、聯(lián)電、力積電、世界先進等四大晶圓代工廠商都將具備12英寸廠產(chǎn)能,且在海外都有12英寸廠建廠計劃。其中,臺積電遍及美國、日本等地,聯(lián)電與世界先進同為新加坡,力積電則規(guī)劃在日本與合作伙伴于當?shù)亟◤S...詳情請點擊《又一座12英寸晶圓廠傳新動態(tài),選址新加披?》

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          SK海力士公布Q3營收

          10月26日,SK海力士發(fā)布截至2023年9月30日的2023財年第三季度財務(wù)報告。公司2023財年第三季度結(jié)合并收入為9.0662萬億韓元,營業(yè)虧損為1.7920萬億韓元,凈虧損為2.1847萬億韓元。2023財年第三季度營業(yè)虧損率為20%,凈虧損率為24%。

          SK海力士解釋道:因高性能半導體存儲器產(chǎn)品為中心的市場需求增加,公司業(yè)績在第一季度低點過后持續(xù)改善,特別是面向AI的代表性存儲器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等主力產(chǎn)品的銷售勢頭良好,與上季度相比營業(yè)收入增長24%,營業(yè)損失減少38%。

          針對營業(yè)收入的增加趨勢,SK海力士分析道:“DRAM和NAND閃存的整體銷量增長的同時,DRAM的平均售價(ASP,Average Selling Price)的上升也產(chǎn)生了較大影響?!?..詳情請點擊《SK海力士發(fā)布2023財年第三季度財務(wù)報告》

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