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華虹半導(dǎo)體上市
又一批半導(dǎo)體項(xiàng)目上馬
321層NAND樣品發(fā)布
HBM供給位元量預(yù)估
全球或添兩座晶圓廠？
鎧俠公布最新財(cái)報(bào)
五大龍頭成立芯片公司
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華虹半導(dǎo)體上市
歷時(shí)逾9個(gè)月，華虹半導(dǎo)體最終于8月7日正式上市。
據(jù)該公司招股說明書顯示，發(fā)行人本次發(fā)行擬募集資金180億元，不過公司出現(xiàn)超募，總募資額212億元，計(jì)劃投入華虹制造（無錫）項(xiàng)目、8英寸廠優(yōu)化升級項(xiàng)目、特色工藝技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動資金，其中，華虹制造（無錫）項(xiàng)目是華虹公司此次募投的重點(diǎn)。
華虹公司董事長、執(zhí)行董事張素心在路演致辭中表示，本次A股科創(chuàng)板公開發(fā)行股票并上市，是華虹發(fā)展歷程中的重要里程碑之一。未來公司將繼續(xù)堅(jiān)定執(zhí)行先進(jìn)特色I(xiàn)C（集成電路）加功率器件，以及8寸加12寸的發(fā)展戰(zhàn)略...詳情請點(diǎn)擊《“巨無霸”來襲，華虹公司登頂A股年內(nèi)最大IPO》
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321層NAND樣品發(fā)布
8月9日，SK海力士宣布，通過321層4D NAND樣品的發(fā)布，正式成為業(yè)界首家正在開發(fā)300層以上NAND閃存的公司。
SK海力士表示，將進(jìn)一步完善321層NAND閃存，并計(jì)劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。
據(jù)悉，321層1Tb TLC NAND的效率比上一代238層512Gb提高了59%。這是由于數(shù)據(jù)存儲的單元可以以更多的單片數(shù)量堆棧至更高，在相同芯片上實(shí)現(xiàn)更大存儲容量，進(jìn)而增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量...詳情請點(diǎn)擊《重磅！SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品》
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又一批半導(dǎo)體項(xiàng)目上馬
近日，業(yè)界新一批半導(dǎo)體項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展，包括天科合達(dá)江蘇徐州碳化硅晶片二期項(xiàng)目、杭州芯微影半導(dǎo)體項(xiàng)目、中山臺光電子高性能半導(dǎo)體基材項(xiàng)目、浙江大和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園三期建設(shè)項(xiàng)目等。
8月9日，蘇州賽芯電子科技股份有限公司總部大樓正式開工奠基。項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資2億元，未來將建設(shè)成集實(shí)驗(yàn)室、研發(fā)中心、營銷中心、綜合管理等功能于一體的賽芯電子企業(yè)總部。
8月8日，天科合達(dá)全資子公司江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工活動在徐州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)成功舉辦。
8月2日，杭州芯微影國產(chǎn)光刻機(jī)生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約儀式在鄂州臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)產(chǎn)業(yè)展示中心舉行，臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)管委會與杭州芯微影半導(dǎo)體有限公司簽訂《項(xiàng)目投資合同書》...詳情請點(diǎn)擊《最新一批半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目上馬在即！》
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鎧俠公布財(cái)報(bào)
8月9日NAND Flash大廠鎧俠公布上季（2023年4-6月）財(cái)報(bào)，由于智能手機(jī)等產(chǎn)品需求低迷，NAND Flash市況持續(xù)惡化，價(jià)格下跌，受此影響，該季鎧俠營收2511億日元（約17.5億美元），同比減少32%。
鎧俠指出，因市況復(fù)蘇緩慢，將持續(xù)配合需求動向進(jìn)行減產(chǎn)以及管控營銷費(fèi)用，且為了維持競爭力、將持續(xù)進(jìn)行次世代產(chǎn)品研發(fā)以及降低成本等措施。
另據(jù)共同社報(bào)道，為應(yīng)對需求惡化，鎧俠在日本巖手縣北上市的北上工廠新建的廠房將推遲到2024年以后投入使用。該廠原計(jì)劃在2023年內(nèi)投產(chǎn)，鎧俠公關(guān)負(fù)責(zé)人稱新建廠房的大部分施工將在2023年內(nèi)結(jié)束，同時(shí)也表示：“投產(chǎn)時(shí)間未定。將在對需求動向進(jìn)行詳細(xì)調(diào)查后再做判斷?！?..詳情請點(diǎn)擊《NAND Flash市況復(fù)蘇緩慢，又一家大廠要減產(chǎn)？》
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全球再添兩座晶圓廠？
8月8日，臺積電與博世、英飛凌、恩XP宣布，計(jì)劃共同投資位于德國德累斯頓的歐洲半導(dǎo)體制造公司（ESMC），以提供先進(jìn)半導(dǎo)體制造服務(wù)。
該晶圓廠預(yù)計(jì)采用臺積電的28/22納米平面互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS），以及16 /12納米鰭式場效晶體管制程，月產(chǎn)能約40000片300mm（12英寸）晶圓。ESMC目標(biāo)于2024年下半年開始興建晶圓廠，并于2027年底開始生產(chǎn)。
另據(jù)媒體報(bào)道，臺積電同意投資世界先進(jìn)積體電路股份有限公司計(jì)劃在新加坡設(shè)立的一家12英寸晶圓廠。該廠投資可能超過1000億元臺幣（約32億美元）。報(bào)道稱，這家新加坡工廠將生產(chǎn)28納米芯片，最早可能在2026年完工。
業(yè)界認(rèn)為，盡管行業(yè)正在下行，但已有不少積極信號在釋放，周期下行或許將逐漸臨近尾聲，行業(yè)靜待新一輪上行周期來臨…詳情請點(diǎn)擊《全球晶圓廠或?qū)⒃僭鰞勺俊?/p>
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HBM供給位元預(yù)估
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告指出，存儲器原廠在面臨英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他云端服務(wù)業(yè)者（CSP）自研芯片的加單下，試圖通過加大TSV產(chǎn)線來擴(kuò)增HBM產(chǎn)能。
從目前各原廠規(guī)劃來看，預(yù)估2024年HBM供給位元量將年增105%。不過，考慮到TSV擴(kuò)產(chǎn)加上機(jī)臺交期與測試所需的時(shí)間合計(jì)可能長達(dá)9~12個(gè)月，因此TrendForce集邦咨詢預(yù)估多數(shù)HBM產(chǎn)能要等到明年第二季才有望陸續(xù)開出。
TrendForce集邦咨詢分析，由于2023~2024年屬于AI建設(shè)爆發(fā)期，大量需求集中在AI Training芯片，并推升HBM使用量，后續(xù)建設(shè)轉(zhuǎn)為Inference以后，對AI Training芯片以及HBM需求的年成長率則將略為收斂。
因此，原廠此刻在HBM擴(kuò)產(chǎn)的評估正面臨抉擇，必須在擴(kuò)大市占率以滿足客戶需求，以及過度擴(kuò)產(chǎn)恐導(dǎo)致供過于求之間取得平衡。值得注意的是，目前買方在預(yù)期HBM可能缺貨的情況下，其需求數(shù)量恐隱含超額下單（Overbooking）的風(fēng)險(xiǎn)...詳情請點(diǎn)擊《研報(bào) | 原廠積極擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)估2024年HBM位元供給年成長率105%》
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五大龍頭成立芯片公司
本周，高通、恩XP、博世、英飛凌及Nordic五大產(chǎn)業(yè)龍頭公司宣布攜手共同投資組建一家芯片公司，專攻RISC-V架構(gòu)，旨在通過支持下一代硬件而推動RISC-V應(yīng)用普及。
新公司成立于德國，將加速基于開源 RISC-V 架構(gòu)的未來產(chǎn)品的商業(yè)化，起初RISC-V架構(gòu)產(chǎn)品將率先在汽車領(lǐng)域應(yīng)用，隨后慢慢普及至移動和互聯(lián)網(wǎng)。
據(jù)悉，RISC-V與x86和Arm體系的不同之處在于其開放性，不受某一家企業(yè)主導(dǎo)。因此使用這一架構(gòu)的設(shè)計(jì)企業(yè)擁有更獨(dú)立的主導(dǎo)權(quán)，不會被競爭對手牽制。而且，半導(dǎo)體行業(yè)需要開源的指令集架構(gòu)商業(yè)模式，企業(yè)們會逐漸轉(zhuǎn)移到RISC-V這種高質(zhì)量的開源架構(gòu)...詳情請點(diǎn)擊《高通、恩XP、博世等五大龍頭攜手成立芯片公司，強(qiáng)勢入局RISC-V》
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
