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          存儲芯片巨頭競逐HBM 新品發(fā)布成美光股價助推器

          2023-7-31 9:08:00
          • 存儲芯片巨頭競逐HBM 新品發(fā)布成美光股價助推器

          美光推出了業(yè)界首款第二代HBM3,該產(chǎn)品已出樣給客戶;人工智能需求拉動下,擴(kuò)產(chǎn)HBM、開發(fā)更高性能的產(chǎn)品,已經(jīng)成為存儲巨頭們的共同選擇;封裝、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)隨之受益。



          當(dāng)?shù)貢r間周四(7月27日),存儲芯片大廠美光科技(MU.US)漲超5%,單日漲幅創(chuàng)6月以來新高。同日費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)漲1.86%。



          消息面上,7月26日,美光宣布推出業(yè)界首款8層24GB HBM(高帶寬內(nèi)存)3 Gen2內(nèi)存芯片,它是HBM3的下一代產(chǎn)品,采用1β工藝節(jié)點(diǎn)。這意味著美光成為業(yè)界第一個制造出第二代HBM3內(nèi)存的廠商。



          這款內(nèi)存芯片總帶寬超過1.2TB/s,引腳速度超過9.2Gb/s,比HBM3提高50%。此外,HBM3Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右,能效大幅提升。


          在官網(wǎng)產(chǎn)品頁,美光著重強(qiáng)調(diào)了這款芯片對生成式AI的幫助作用——美光HBM3 Gen2專為人工智能和超級計算而構(gòu)建,“解鎖了生成式AI的世界”可提供更高的內(nèi)存容量,可提高性能并減少CPU負(fù)載,從而在大模型(例如ChatGPT)進(jìn)行推理時更快、更精確。



          美光表示,24GB HBM3 Gen2內(nèi)存已經(jīng)出樣給客戶。


          人工智能的發(fā)展離不開強(qiáng)大存力,存儲芯片承擔(dān)著提升整體AI服務(wù)器的系統(tǒng)運(yùn)算效能,以及存儲器傳輸帶寬等的重?fù)?dān)。


          隨著人工智能需求激增,兩大高性能存儲芯片HBM和DDR5的價格和需求都在增長,在最近一次非公開企業(yè)說明會上,SK海力士預(yù)計,2024年HBM和DDR5的銷售額有望翻番。


          相較而言,HBM是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片,其技術(shù)門檻更高、性能提升空間更大,相應(yīng)地溢價更高,其價格是現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品的5-6倍。


          TrendForce集邦咨詢發(fā)表研報稱,目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流,預(yù)計2023年全球HBM需求量將增近六成,達(dá)到2.9億GB,2024年將再增長30%。


          這一背景下,一方面,AI芯片公司正積極開拓新的HBM供應(yīng)商。


          從第四季度開始,三星將向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3,目前后者的HBM由SK海力士獨(dú)供;另一方面,擴(kuò)產(chǎn)HBM、開發(fā)更高性能的產(chǎn)品,已經(jīng)成為存儲巨頭們的共同選擇,以兩大韓國廠商為例:


          三星稱,看到超大規(guī)??蛻魧BM的高需求。計劃在2024年將高帶寬內(nèi)存(HBM)供應(yīng)能力同比翻倍。


          有消息稱SK海力士目標(biāo)將HBM產(chǎn)能擴(kuò)大2倍,另外,SK海力士繼4月份開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3后又提出2026年生產(chǎn)HBM4。


          從產(chǎn)業(yè)鏈上看,HBM市場火熱也讓封裝、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)隨之受益。


          封裝環(huán)節(jié):由于HBM需要集成多個芯片,因此封裝成為制造該產(chǎn)品的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。譬如三星與SK海力士無法將HBM以成品形式供給客戶,而是需要經(jīng)過臺積電集成。臺積電之外,三星和SK海力士也在考慮增加封裝生產(chǎn)線。


          材料端:HBM多層堆疊對于制造材料尤其是前驅(qū)體的用量成倍提升,制造材料核心廠商包括雅克科技、神工股份等;對于封裝材料:HBM將帶動TSV和晶圓級封裝需求增長,而且對封裝高度、散熱性能提出更高要求,封裝材料核心廠商包括聯(lián)瑞新材、華海誠科、飛凱材料等。


          設(shè)備端:由于獨(dú)特的3D堆疊結(jié)構(gòu),HBM芯片為上游設(shè)備帶來了新的增量——前道環(huán)節(jié),HBM需要通過TSV來進(jìn)行垂直方向連接,增加了TSV刻蝕設(shè)備需求;中段環(huán)節(jié),HBM帶來了更多的晶圓級封裝設(shè)備需求;后道環(huán)節(jié),HBM的多芯片堆疊帶來diebond設(shè)備和測試設(shè)備需求增長。


          天風(fēng)國際證券表示,存儲芯片片巨頭正在將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)HBM,但由于調(diào)整產(chǎn)能需要時間,很難迅速增加HBM產(chǎn)量,所以這或許也是中國彎道超車的好時機(jī)。

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