羅姆開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC，瞄準數據服務器、AC適配器等領域

7月19日，全球半導體制造商羅姆（ROHM Semiconductor）在深圳召開媒體交流會。會上，羅姆宣布已開發(fā)出EcoGaN^TM Power Stage IC “BM3G0xxMUX-LB”，面向數據服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源。

圖片來源：羅姆

據羅姆介紹，新產品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅動器、新增功能以及外圍元器件。功耗方面，與現有的Si MOSFET相比，新產品器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，有助于減少服務器和AC適配器的體積或損耗。

外形上，新產品為VQFN封裝，8x8mm，厚度是1毫米的IC，一體化的封裝。在元器件數量上，普通產品是9個相關元器件，而羅姆新產品將驅動方式進一步簡化，外置Power Stage相關元器件只需1個，有助于應用產品的小型化。

電壓方面， 新產品支持更寬的驅動電壓范圍(2.5V~30V)，擁有支持一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現有的Si MOSFET。目前，新產品有兩款，分別是BM3G007MUV-LB、BM3G015MUV-LB，導通電阻分別是70毫歐和150毫歐。

此外，還備有三款評估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用來評估芯片的整體方案性能，另外兩款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客戶現有方案進行測試。

羅姆表示，新產品已于2023年6月開始量產（樣品價格4000日元/個，不含稅）。另外，新產品及對應的三款評估板 (BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003 、 BM3G015MUV-EVK-003) 已開始網售，在Ameya360等電商平臺可購買。

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料，與普通的半導體材料——Si（硅）相比具有更優(yōu)異的物理性能，并憑借出色的高頻特性，成為第三代半導體材料代表物之一。羅姆認為，目前氮化鎵應用最多的領域在快充、小型筆記本電腦等，今后可能會擴展到車載OBC、數據中心的電源、分布式電源等應用。

2006年，羅姆開始了氮化鎵相關產品的研發(fā)歷程，該公司于2021年確立了150V GaN器件技術，普通氮化鎵產品是6V耐壓，羅姆的氮化鎵產品達到了8V，后于2023年4月開始量產650V耐壓產品，并于2023年7月發(fā)布了這款650V Power Stage IC。

據悉，EcoGaN^TM是羅姆專門為氮化鎵器件申請的商標。羅姆將有助于應用產品的節(jié)能和小型化的氮化鎵器件命名為“EcoGaN^TM”系列。

羅姆透露稱，今后，公司將不斷改進驅動技術和控制技術與EcoGaN^TM系列GaN器件相結合，便于客戶選擇。關于Power Stage IC下一代機型，準偕振AC-DC+GaN的器件預計在2024年一季度量產，功率因數改善+GaN的器件也是2024年第一季度量產，半橋+GaN的器件預計在2024年第二季度量產。

封面圖片來源：羅姆