6月4日消息，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，中芯國際集成電路制造（北京）有限公司申請的“集成電路測試結構、其形成方法及其測試方法”專利公布。
圖片來源：中芯國際公告截圖
專利摘要顯示：
一種集成電路測試結構、其形成方法及其測試方法，其中，集成電路測試結構包括：襯底；位于襯底上的第一測試結構，第一測試結構包括第一測試線以及與第一測試線兩端分別連接的第一襯墊組和第二襯墊組；位于襯底上的第二測試結構，第二測試結構包括第二測試線以及與第二測試線連接的第三襯墊，所述第一測試線與第二測試線之間電隔離，所述第一測試線與第二測試線構成電容結構。所述集成電路測試結構能夠利用同一結構測試電阻和電容，提升了測得的電阻和電容之間相關性的準確度。
圖片來源：中芯國際公告截圖
據了解，中芯國際主要提供 0.35 微米到 FinFET 不同技術節(jié)點的晶圓代工與技術服務。2023 年第一季度營業(yè)收入 102.09 億元，同比減少 13.9%； 歸母凈利潤 15.91 億元，同比下降 44%。
目前，中芯深圳已進入量產，中芯京城預計下半年進入量產，中芯東方預計年底通線，中芯西青還在建設中。
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