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BUZ355	文件：348.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：348.61 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BUZ355	文件：103.99 Kbytes Page：4 Pages	Enhancement mode N channel Enhancement mode Avalanche-rated 文件：103.99 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
BUZ355	文件：208.39 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS? Power Transistor ? N channel ? Enhancement mode ? Avalanche-rated 文件：208.39 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BUZ355	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)	Infineon 英飛凌	Infineon

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更多BUZ355供應(yīng)商更新時間2026-1-20 14:02:00