絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65n160m9/marking.html">65N160M9；Package：DPAK；N-channel 650 V, 132 mΩ typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a DPAK package

Description This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a DPAK package

該N溝道功率MOSFET基于創(chuàng)新超結(jié)MDmesh M9技術(shù)，該技術(shù)適用于單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)非常低的中/高電壓MOSFET?；诠璧腗9技術(shù)采用多漏制造工藝，增強(qiáng)了器件結(jié)構(gòu)。在所有硅基快速開關(guān)超結(jié)功率MOSFET中，運(yùn)用此工藝制造的產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻并降低了柵極電荷值，特別適合需要超高功率密度和出色效率的應(yīng)用。 ? 品質(zhì)因數(shù)RDS(on)*Qg在硅基器件中非常出色 \n? 更高的VDSS額定值 \n? 更高的dv/dt性能 \n? 出色的開關(guān)性能 \n? 易于驅(qū)動 \n? 經(jīng)過100%雪崩測試 \n? 穩(wěn)壓保護(hù);

ST

意法半導(dǎo)體

TO252

ST

上傳：深圳市納艾斯科技有限公司

TO-252

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

上傳：深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司

TO252

ST

上傳：深圳市金芯陽科技有限公司