isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 1.25Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

無錫固電

N-channel 950 V, 1 廓 typ., 9 A Zener-protected SuperMESH??5 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 and IPAK

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

絲印：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電

N溝道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封裝

這款N-溝道穩(wěn)壓保護(hù)功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高壓SuperMESH? 5技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。該技術(shù)以創(chuàng)新專有的垂直工藝為基礎(chǔ)。因此，在要求高功率密度和高效率的應(yīng)用中，導(dǎo)通電阻顯著降低，并具有極低的柵極電荷。 ? 采用DPAK封裝，額定電壓為950 V，具有全球領(lǐng)先的 RDS(on) \n? 全球出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 極低的柵極電荷 \n? 經(jīng)過100％雪崩測試 \n? 穩(wěn)壓保護(hù);

ST

意法半導(dǎo)體