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STD2NC70Z	文件：447.47 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH??II MOSFET DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY? Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested b 文件：447.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD2NC70Z-1	文件：447.47 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH??II MOSFET DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY? Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested b 文件：447.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD2NC70Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 700V - 4.1ohm - 2.3A DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH?III MOSFET	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STP2NC70Z	文件：634.24 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH??II MOSFET DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY? Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsur passed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested 文件：634.24 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STP2NC70ZFP	文件：634.24 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH??II MOSFET DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY? Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsur passed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested 文件：634.24 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

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