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首頁(yè) >STD2NB60>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STD2NB60	文件：291.37 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：291.37 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD2NB60	文件：228.59 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：228.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD2NB60	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STD2NB60-1	文件：228.59 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：228.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD2NB60T4	文件：228.59 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：228.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD2NB60T4	文件：1.04803 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.04803 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
STD2NB60
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全稱：
STMicroelectronics
功能描述：
N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	STD2NB60	ST/意法	17+	TO-252	31518	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	STD2NB60		24+	N/A	1600		詢價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	STD2NB60	ST	05+	原廠原裝	126	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	STD2NB60	ST	25+23+	TO251	72307	絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	STD2NB60	ST	25+	TO-252	90000	一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	STD2NB60	ST	18+	TO-252	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	STD2NB60	ST	20+	TO-251	38900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	STD2NB60	ST	24+	TO-251/252	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	STD2NB60	ST	25+	TO-252/D-PAK	32500	普通	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	STD2NB60	ST/意法	23+	SOT252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)

更多STD2NB60供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:00:00

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