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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
RFP2N12L	文件：35.35 Kbytes Page：5 Pages	2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET The RFP2N12L is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor specifically designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching, and solenoid drivers. This performance is accomplished through a spec 文件：35.35 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	INTERSIL	INTERSIL
RFP2N12L	文件：938.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：938.44 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
RFP2N12L	文件：300 bytes Page：1 Pages	2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET	Renesas 瑞薩	Renesas
RT2N12M	文件：54.47 Kbytes Page：3 Pages	COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION RT2N12M is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE ● Built-in bias resistor ( R1=4.7 KΩ , R2=47KΩ ) ● Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit , switching circuit , interface circuit , driver circuit 文件：54.47 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISAHAYA 諫早電子	ISAHAYA

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更多RFP2N12L供應(yīng)商更新時間2026-1-21 16:01:00