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PHD50N03LTA	文件：1.01774 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS ? OR-ing ? Server ? DC/DC 文件：1.01774 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PHP50N03LT	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’ technology ? Very low on-state resistance ? Fast switching ? High thermal cycling performance ? Low thermal resistance ? Logic level 文件：108.76 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	PHI PHI	PHI
PHP50N03LT	文件：1.13625 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? power MOSFET ? Package with low thermal resistance ? 100 Rg and UIS tested 文件：1.13625 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PHP50N03LT	文件：371.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.69 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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