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PHD69N03LT	文件：108.44 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES ? ’Trench’technology ? Very low on-state resistance ? Fast switching ? Low thermal resistance ? Logic level compatible Appl 文件：108.44 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	PHI PHI	PHI
PHD69N03LT	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 69A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.42 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PHD69N03LT	文件：1.01868 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01868 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
PHD69N03LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET	恩XP	恩XP

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更多PHD69N03LT供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:00:00