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PD57030S-E	文件：388.45 Kbytes Page：18 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent ga 文件：388.45 Kbytes 頁(yè)數(shù)：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD57030S-E	文件：506.28 Kbytes Page：18 Pages	RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs 文件：506.28 Kbytes 頁(yè)數(shù)：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD57030S-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻描述：FET RF 65V 945MHZ PWRSO10	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD57030STR-E	文件：388.45 Kbytes Page：18 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent ga 文件：388.45 Kbytes 頁(yè)數(shù)：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD57030STR-E	文件：506.28 Kbytes Page：18 Pages	RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs 文件：506.28 Kbytes 頁(yè)數(shù)：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD57030TR-E	文件：388.45 Kbytes Page：18 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent ga 文件：388.45 Kbytes 頁(yè)數(shù)：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
PD57030S-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
LDMOS
頻率：
945MHz
增益：
14dB
額定電流（安培）：
4A
功率 - 輸出：
30W
封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
描述：
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	PD57030S-E	ST(意法半導(dǎo)體)	25+	N/A	21000	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
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