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首頁(yè) >PD85015-E>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
PD85015-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	15W 13.6V 870MHz LDMOS in powerSO-10RF plastic package The PD85015-E is a common source N-channel, enhancement-mode, lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband, commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The PD85015-E boasts excellent gain, lin ? Excellent thermal stability\n? Common source configuration\n? POUT = 15 W with 16 dB gain @ 870 MHz / 13.6 V? Plastic package\n? ESD protection\n? In compliance with the 2002/95/EC European directive;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
PD85015-E	文件：251.86 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The PD85015-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD85015-E boasts the excell 文件：251.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD85015-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）；包裝：托盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻描述：FET RF 40V 870MHZ	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD85015S-E	文件：251.86 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The PD85015-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD85015-E boasts the excell 文件：251.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD85015STR-E	文件：251.86 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The PD85015-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD85015-E boasts the excell 文件：251.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD85015TR-E	文件：251.86 Kbytes Page：13 Pages	RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The PD85015-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD85015-E boasts the excell 文件：251.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
PD85015-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
包裝：
托盤
晶體管類型：
LDMOS
頻率：
870MHz
增益：
16dB
額定電流（安培）：
5A
功率 - 輸出：
15W
封裝/外殼：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）
供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（成形引線）
描述：
FET RF 40V 870MHZ

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多PD85015-E供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:12:00

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