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PD85035S-E	文件：376.64 Kbytes Page：15 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The PD85035-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD85035-E boasts the excell 文件：376.64 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD85035S-E	文件：384.36 Kbytes Page：15 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs 文件：384.36 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
PD85035S-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 POWER R.F. N-Ch Trans	ST 意法半導(dǎo)體	ST
PD85035S-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝：托盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻描述：FET RF 40V 870MHZ	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

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