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MTP5P06V	文件：192.21 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.450 OHM TMOS V Power Field Effect Transistor P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS V is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our 50 and 60 volt TMOS devices. Ju 文件：192.21 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTP5P06V	文件：207.65 Kbytes Page：7 Pages	P??hannel Power MOSFET 文件：207.65 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MTP5P06V	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.450 OHM	恩XP	恩XP
MTP5P06V	文件：300 bytes Page：1 Pages	P?Channel Power MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多MTP5P06V供應(yīng)商更新時間2026-1-20 16:01:00