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MTP75N06HD	文件：275.88 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 75 AMPERES RDS(on) = 10.0 mOHM 60 VOLTS HDTMOS E-FET High Density Power FET N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced high–cell density HDTMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. De 文件：275.88 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTP75N06HD	文件：979.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ? 175 °C Junction Temperature ? TrenchFET? Power MOSFET ? Material categorization: 文件：979.34 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
MTP75N06HD	文件：230.68 Kbytes Page：8 Pages	N??hannel Power MOSFET 文件：230.68 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
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更多MTP75N06HD供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 14:00:00